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產品簡介
| 少子壽命測試儀型號:ZH8202 | 貨號:ZH8202 |
| 產品簡介: τ:10~6000μs,ρ>3Ω·cm ,配數字示波器;用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量,除需要有一個測量平面外,對樣塊體形嚴格要求,可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內重金屬雜質污染及缺陷存在的情況,是單晶質的重要檢測項目。 設備組成 1.光脈沖發生裝置: 重復頻率>25次/s 脈 寬>60μs 光脈沖關斷時間<1μs 紅外光源波長:1.06~1.09μm(測量硅單晶) 脈沖電流:5A~20A 如測量鍺單晶壽命需配置適當波長的光源 2.高頻源: 頻 率:30MHz低輸出阻抗 輸出功率>1W 放大器和檢波器: 頻率響應:2Hz~2MHz 3.配用示波器: 配用示波器:頻帶寬度不低于10MHz,Y軸增益及掃描速度均應連續可調。 測量范圍: 可測硅單晶的電阻率范圍:ρ≥0.1Ω·㎝(歐姆·厘米) 壽命值的測量范圍:5~6000μs(微秒) | ![]() |
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移動站:少子壽命測試儀型號:ZH8202
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