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內容聲明：
您訪問的MMR變溫霍爾效應測量系統產品信息，由上海卓克光電科技有限公司自行發布提供，產品價格為面議，如您想了解更多關于MMR變溫霍爾效應測量系統型號、參數、用途等信息，歡迎咨詢。
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產品簡介
MMR變溫霍爾效應測量系統詳細信息
變溫霍爾效應測量系統---桌面緊湊型
霍爾效應測量系統主要用于研究光電材料的電學特性，可以測量材料在不同溫度、磁場下的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數及載流子類型
主要參數：
- 樣品固定方式：彈簧探針或引線治具
- 溫度：70~730K；80~580K；70~580K；80~730K；室溫~730K（可選）
- 磁場：5000Gauss永磁鐵，5000Gauss電磁場， 1.4T電磁場（可選）
- 溫度穩定度：<=0.05K
- 溫度響應：1K/sec
- 致冷片：10X14 mm
- 電阻率：10-6~1013 Ohm*cm
- 載流子遷移率：10-2~109 cm2/volt*sec
- 載流子濃度：102~1022cm-3
- 電流范圍：0.1 pA~10mA
- 電壓范圍：+/-2.5V，zui小可測到6X10-6 V
- 電阻范圍：10 m Ohms~ 10G Ohms
微探針平臺
微探針平臺可用于研究材料在不同溫度下的電學及光學性質, 典型的應用包含深能級瞬態譜,IC,MEMS, 紅外探測器,顯微操作等
主要參數：
- 探針類型：鎢探針或光纖
- 可控探針數：2~7
- 探針移動范圍：25 mm x 25 mm x 6 mm
- 定位精度：50um
- 溫度：70~730K；80~580K；70~580K；80~730K；室溫~730K（可選）溫度穩定度：<=0.05K
- 溫度響應：1K/sec
- 致冷片：10X14 mm
塞貝克效應測量系統 –熱電系數測量系統
熱電材料的研究在能量保存和能源替代方面有著重要的作用, 而熱電系數是熱電材料的主要參數之一. 通過研究不同溫度下的熱電系數并配合理論模型可得到載流子類型和能帶結構信息等. 主要應用于能源效率, 替代能源, 汽車和燃料消耗等研究.
主要參數：
- 待測樣品與參考樣品增益不匹配度： <0.1%
- 樣品長度：2~10mm
- 電壓分辨率：50nV
- 多可重復測量次數: 128 (自動取平均值)
- 溫度：70~730K；80~580K；70~580K；80~730K；室溫~730K（可選）
超低溫保存系統--無需致冷劑
超低溫保存系統主要用于生物活細胞的冷凍, 保存及運輸. 體積小巧, 無需致冷劑, 免維護
主要參數：
- 深度致冷溫度：85K(-188度)~室溫
- 溫度穩定性: +/-0.5度
- 溫度分辨率: 1度
- 儲存罐大小: 5.0cm直徑X 7.6cm 深度
- 體積: 40X28X35cm
- 重量:15.7Kg
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