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內(nèi)容聲明：
您訪問的RIE反應離子刻蝕產(chǎn)品信息，由北京亞科晨旭科技有限公司自行發(fā)布提供，產(chǎn)品價格為面議，如您想了解更多關(guān)于RIE反應離子刻蝕型號、參數(shù)、用途等信息，歡迎咨詢。
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產(chǎn)品簡介
RIE反應離子刻蝕產(chǎn)品參數(shù)
| 產(chǎn)地類別 | 進口 | 價格區(qū)間 | 150萬-200萬 |
| 應用領(lǐng)域 | 電子/電池 |
RIE反應離子刻蝕詳細信息
RIE反應離子刻蝕采用模塊化設(shè)計，可滿足III/V半導體和Si加工工藝領(lǐng)域的的靈活應用。 SENTECH SI 591可應用于各種領(lǐng)域的蝕刻工藝中，能夠完成多種刻蝕加工。
RIE反應離子刻蝕主要特點:
高均勻性和優(yōu)重復性的蝕刻工藝
預真空鎖loadlock
電腦控制操作
SENTECH高級等離子設(shè)備操作軟件
數(shù)據(jù)資料記錄
穿墻式安裝方式
刻蝕終點探測
工藝靈活性
RIE蝕刻機SI 591 特別適用于氯基和氟基等離子蝕刻工藝，占地面積小且模塊化程度高，SI 591 可配置為單個反應腔或作為片盒到片盒裝載的多腔設(shè)備。SENTECH控制軟件，我們的等離子蝕刻設(shè)備包括用功能*的用戶友好軟件與模擬圖形用戶界面，參數(shù)窗口，工藝窗口，數(shù)據(jù)記錄和用戶管理。
預真空室和計算機控制的等離子體刻蝕工藝條件，使得SI 591 具有優(yōu)異的工藝再現(xiàn)性和等離子體蝕刻工藝靈活性。靈活性、模塊性和占地面積小是SI 591的設(shè)計特點。樣品直徑大可達200mm，通過載片器加載。SI 591可以配置為穿墻式操作或具有更多選項的小占地面積操作。位于頂部電極和反應腔體的更大診斷窗口可以輕易地容納SENTECH激光干涉儀或OES和RGA系統(tǒng)。橢偏儀端口可用于SENTECH橢偏儀進行原位監(jiān)測。
SI 591結(jié)合了計算機控制的RIE平行板電極設(shè)計的優(yōu)點和預真空室系統(tǒng)。SI 591可配置用于各種材料的刻蝕。在SENTECH，我們提供不同級別的自動化程度，從真空片盒載片到一個工藝腔室或多六個工藝模塊端口，可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統(tǒng)，目標是高靈活性或高產(chǎn)量。SI 591也可用作多腔系統(tǒng)中的一個工藝模塊。
SI 591 compact
占地面積小的RIE等離子刻蝕
預真空室
鹵素和氟基氣體
適用于200mm的晶片
用于激光干涉儀和OES的診斷窗口
SI 591 cluster
可配置為至多6端口傳輸
結(jié)合RIE, ICP-RIE和PECVD腔體
手動預真空室置片或片盒裝載
用于研發(fā)和高產(chǎn)量的多腔系統(tǒng)
SENTECH控制軟件
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