分辨分析型透射電子顯微鏡標配了照明系統(tǒng)球差校正器，是一款原子分辨分析型透射電鏡，擁有先的STEM-HAADF像分辨率（78pm）。標配照明系統(tǒng)球差校正器，且大限度地提升了裝置的機械穩(wěn)定性和電氣穩(wěn)定性，實現(xiàn)了先的STEM-HAADF像分辨率 （78pm*1、82pm*2）。

分辨分析型透射電子顯微鏡JEM-ARM200F標配了照明系統(tǒng)球差校正器，是一款原子分辨分析型透射電鏡，擁有世先的STEM-HAADF像分辨率（78pm）。

• STEM-HAADF像的保證分辨率（78pm *1  ）為世界之先性能
• 標配照明系統(tǒng)球差校正器，且大限度地提升了裝置的機械穩(wěn)定性和電氣穩(wěn)定性，實現(xiàn)了先的STEM-HAADF像分辨率 （78pm*1、82pm *2 ）。 此外經(jīng)過球差校正的電子束與一般的場發(fā)射透射電鏡相比，電流密度可以高出十倍。使用束斑更小、電流密度更大的電子束，能在進行原子水平的元素分析同時,大幅度地縮短測試時間，*地提高分析效率。
  *1 配備冷場發(fā)射電子槍  *2 配備肖特基場發(fā)射電子槍

• 通過STEM-ABF像直接觀察輕元素的原子陣列
• JEM-ARM200F標配了掃描透射環(huán)形明場(STEM-ABF)成像模式，通過STEM-ABF像能直接觀察晶體樣品中輕元素的原子陣列，還可以同時獲取STEM-HAADF像，在樣品結(jié)構(gòu)的分析中能夠發(fā)揮巨大威力

• 用100mm2的大面積SDD *3 進行原子分辨分析
• JEM-ARM200F配備日本電子制造的100mm2的大面積硅漂移檢測器(Silicon Drift Detector:SDD) *3 ，可以進行快速、高靈敏的EDS元素分析，與經(jīng)過球差校正的電子束流組合，能進行原子級的元素面分布，在原子水平的分辨率下進行成份分析。
  *3 選配

• 用冷場發(fā)射電子槍 *4 進行觀察和分析
• 冷場發(fā)射電子槍(Cold-FEG) *4 配備新開發(fā)的真空系統(tǒng)，與傳統(tǒng)的冷場發(fā)射電子槍不同，F(xiàn)lashing操作后可以馬上使用。由于光源小可以獲得更高分辨率的圖像。此外冷場發(fā)射電子槍的能量發(fā)散度小，不僅能進行高分辨率的EELS分析，還能降低色差。
  *4 選配

• 成像系統(tǒng)球差校正器*5
• 使用成像系統(tǒng)的球差校正器 *5 ，透射電子像(TEM)的分辨率可以高達110pm。
  *5 選配
• 產(chǎn)品規(guī)格
• 
  分辨率掃描透射暗場像82pm（加速電壓200kV、肖特基場發(fā)射電子槍）
  78pm（加速電壓200kV、冷場發(fā)射電子槍）透射像（點分辨率）190pm（加速電壓200kV）
  110pm（加速電壓200kV、安裝TEM球差校正器）
  倍率掃描透射像X200～X150,000,000透射像X50～X2,000,000
  電子槍電子槍肖特基場發(fā)射電子槍 冷場發(fā)射電子槍（選配件）加速電壓200～80kV（標準200kV、80kV）
  樣品系統(tǒng)樣品臺全對中側(cè)插式測角樣品臺樣品尺寸3mmΦ大傾斜角X軸: ±25°　Y軸: ±25°（使用雙傾樣品桿）移動范圍X,Y: ±1mm　Z: ±0.1mm（馬達驅(qū)動／壓電驅(qū)動）
  球差校正器照明系統(tǒng)球差校正器標配成像系統(tǒng)球差校正器選配件
  選配件主要選配件能譜儀（EDS） 電子能量損失譜儀（EELS）
  CCD數(shù)碼相機系統(tǒng)
  TEM/STEM斷層掃描系統(tǒng)