高真空電阻熱蒸發鍍膜設備采用電阻熱蒸發技術，它是在高真空條件下，通過加熱材料的方法，在襯底上沉積各種化合物、混合物單層或多層膜?？捎糜谏a和科學實驗，可根據用戶要求專門訂制；可用于材料的物理和化學研究；可用于制備金屬導電電極；可用于有機材料的物理化學性能研究實驗、有機半導體器件的原理研究實驗、OLED實驗研究及有機太陽能薄膜電池研究實驗等。

設備構成

-單鍍膜室

-單鍍膜室＋進樣室

-單鍍膜室＋手套箱（可將鍍膜室放在手套箱內）

-單鍍膜室＋進樣室＋手套箱（可將鍍膜室放在手套箱內）

-多鍍膜室＋樣品傳遞室＋手套箱（組成團簇式結構，樣品傳遞采用真空機械手）

設備組成

高真空電阻熱蒸發鍍膜設備電阻熱蒸發源組件、樣品掩膜擋板系統、真空獲得系統及真空測量系統、分子泵（或冷泵）真空機組、旋轉基片加熱臺、工作氣路、手套箱連接部件、樣品傳遞機構，膜厚控制系統、電控系統、恒溫冷卻水系統等組成。

熱蒸發源類型和數量，可根據用戶需要進行配置。

可選件：膜厚監控儀，恒溫制冷水箱。

熱蒸發源種類及配置

電阻熱蒸發源組件：數量：1～12套（可根據用戶要求配裝）；

電阻熱蒸發源種類：鉭（鎢或鉬）金屬舟熱蒸發源組件、石英舟熱蒸發源組件、鎢極或鎢藍熱蒸發源組件、鉭爐熱蒸發源組件（配氮化硼坩堝或陶瓷坩堝）、束源爐熱蒸發組件（配石英坩堝或氮化硼坩堝）。

工作條件（實驗室應具備的設備工作條件）

供電：4kW，三相五線制～ AC 380V

工作環境濕度：10℃～ 40℃

工作環境溫度：≤50%

冷卻循環水：0.2m3/h，水溫18℃～ 25℃

水壓：0.15MPa ～ 0.25MPa

真空性能

極限真空：7×10^-5Pa～7×10^-6Pa

設備總體漏放率：關機12小時，≤10Pa

操作方式

手動、半自動

關于我們

鵬城半導體技術（深圳）有限公司，由哈爾濱工業大學（深圳）與有多年實踐經驗的工程師團隊共同發起創建。公司立足于技術前沿、市場前沿和產業前沿的交叉點，尋求創新yin*ling與可持續發展，解決產業的痛點和國產化難題，爭取產業鏈的自主可控。

鵬城微納技術（沈陽）有限公司是鵬城半導體技術（深圳）有限公司全資子公司，是半導體和泛半導體工藝和裝備的設計中心和生產制造基地。

公司核心業務是微納技術與gao*duan精密制造，具體應用領域包括半導體和泛半導體材料、工藝、裝備的研發設計、生產制造、工藝技術服務及裝備的升級改造，可為用戶提供工藝研發和打樣，可為生產企業提供生產型設備，可為科學研究提供科研設備。

公司人才團隊知識結構完整，有工程師哈工大教授和博士，為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊，還有來自工業界的高級裝備設計師團隊，他們具有30多年的半導體材料研究、外延技術研究和半導體薄膜制備成套裝備設計、生產制造的經驗。

公司依托于哈爾濱工業大學（深圳），具備xian*jin的半導體研發設備平臺和檢測設備平臺，可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導體和泛半導體裝備的研發、生產、調試以及器件的中試、生產、銷售的能力。

公司團隊技術儲備及創新能力

2024~2026

-與jun*gong和shang*shi*tou*bu*qi*ye*客戶合作取得突破（X *guang*gan*板及光電器件的薄膜生長）

-鵬城微納技術（沈陽）有限公司子公司擴產

-TGV/TSV/TMV

-wei*guang*tan*測、yi*liao*ying*xiang、fu*he*ying*zhi*tu*層

-gao*xin*ji*shu企業

2023

-PSD方法外延GaN裝備與工藝的技術攻關；

-科技型中小企業-入庫編號202344030500018573；

-創新型中小企業；

-獲50+項知識產權zhuan*li；

-企業信用評價A*A*A*級信用企業；ISO三體系認證；

-子公司晶源半導體成立

2022

-子公司鵬城微納成立；

-熱絲CVD設備、高真空磁控濺射儀、電子束蒸鍍機、分子束外延與磁控濺射聯用設備多套出貨

-獲得ISO9001質量管理體系證書

2021

-鵬城半導體技術（深圳）有限公司成立

2019

-設計制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產設備

2017

-優化Rheed設計，開始生產型MBE設計

-開始研發PSD方法外延GaN的工藝和裝備

2015

-設計制造了金剛石涂層制備設備，制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導電金剛石薄膜

2007

-設計超高溫CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生長

-設計制造了光學級金剛石生長設備（采用熱激發技術和CVD技術）

2005

-設計制造了中國di*yi臺wan*quan自主知識產權的MBE(分子束外延設備)，用于外延光電半導體材料

1998~2002

-設計了中試型的全自動化監控的MOCVD，用于外延硅基GaN

-設計制造了聚氨酯薄膜的卷繞式鍍膜機

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