小型鍍膜設備是為掃描電鏡和電子探針等進行試樣制備的設備，可進行真空蒸碳、真空鍍膜和離子濺射，它也可以在高純氬氣的保護之下進行多種離子處理。用本設備處理的試樣既可用于樣品的外貌觀察又可以進行成分分析，尤其是成分的定量分析更為適宜。本儀器配有機械泵、分子泵，分子泵系統特別適用于對真空度要求高、真空環境好的用戶選用。
 

　　1.MS450是一臺高真空磁控濺射鍍膜設備。
 

　　2.設備主要由真空室、濺射靶槍、濺射電源、加熱樣品臺、流量控制系統、真空獲得系統、真空測量系統、氣路系統、PLC+觸摸屏自動控制系統等組成。
 

　　3.該設備主機與控制一體化設計，操控方便；結構緊湊，占地面積小。
 

　　4.主要用途：
 

　　1. 開發納米級單層、多層及復合膜層等。
 

　　2. 制備金屬膜、合金膜、半導體膜、陶瓷膜及介質膜等，例：銀、鋁、 銅、鎳、鉻、鎳鉻合金、氧化鈦、氮化鈦、氮化鉻、ITO......
 

　　3. 兩靶單獨濺射、依次濺射、共同濺射。
 

　　5.應用領域：
 

　　1. 高校、科研院所的教學、科研實驗及生產型企業前期探索性實驗及開發新產品等。
 

　　2. 鈣鈦礦太陽能電池、OLED、OPV 太陽能電池等行業。
 

　　薄膜均勻性概念：
 

　　1、厚度上的均勻性，也可以理解為粗糙度，在光學薄膜的尺度上看(也就是1/10波長作為單位，約為100A)，真空鍍膜的均勻性已經相當好，可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內，也就是說對于薄膜的光學特性來說，真空鍍膜沒有任何障礙。 但是如果是指原子層尺度上的均勻度，也就是說要實現10A甚至1A的表面平整。
 

　　2、化學組分上的均勻性： 就是說在薄膜中，化合物的原子組分會由于尺度過小而很容易的產生不均勻特性，SiTiO3薄膜，如果鍍膜過程不科學，那么實際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學成分，這也是真空鍍膜的技術含量所在。
 

　　3、晶格有序度的均勻性： 這決定了薄膜是單晶，多晶，非晶，是真空鍍膜技術中的熱點問題。