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生產(chǎn)廠家
UltraTran
248
廣東廣州市
2025/10/28 9:52:45
產(chǎn)品簡介
產(chǎn)品關(guān)鍵詞：深能級瞬態(tài)譜儀、深能級能譜儀、多功能載流子特性分析系統(tǒng)、半導(dǎo)體參數(shù)測試、載流子特性分析系統(tǒng)、強度調(diào)制光電流譜、強度調(diào)制光電壓譜、DLTS、線性增壓測試、線性增壓載流子抽取、阻抗譜分析儀、電容電壓測試
Product Keywords: Deep level transient Spectrometer, deep level energy spectrometer, multi-function carrier characteristic analysis system, semiconductor parameter testing, carrier characteristic analysis system, intensity modulated photocurrent spectrum, intensity modulated photovoltage spectrum, DLTS, linear boost test, linear boost carrier Extraction, impedance spectrum analyzer, capacitor voltage test
產(chǎn)品簡介
多功能光電器件測試儀 UltraTran是東譜科技研發(fā)的一款集成了多種光電測試功能的儀器設(shè)備，專門針對半導(dǎo)體材料和器件的電學(xué)與光電特性進(jìn)行精確測量，尤其適用于發(fā)光（OLED、PeLED等）與光伏器件（OPV、晶硅PV、異質(zhì)結(jié)疊層PV等），該設(shè)備核心功能包括：
1）斜坡電壓電流測試（Ramp-IV）、階梯電壓電流測試（Step- IV）和脈沖電壓電流測試（Pulse-IV）。這些測試模式使得用戶能夠以不同的電學(xué)激勵方式對樣品進(jìn)行掃描，從而獲得關(guān)于樣品在不同激勵下的電學(xué)性質(zhì)。Ramp-IV以連續(xù)的方式提供電壓掃描，適用于捕捉材料響應(yīng)的連貫變化；Step-IV則以逐步階梯的方式提供電壓，適合觀察材料在不同電壓階躍下的穩(wěn)態(tài)行為；而Pulse-IV通過短時的電壓脈沖，允許研究器件的動力學(xué)IV特性，也可以有效減少器件的熱阻，增加器件的注入電流。
2）多功能光電器件測試儀 UltraTran還提供了開關(guān)瞬態(tài)光電流（on-off TPC）和開關(guān)瞬態(tài)光電壓（on-off TPV）測試，這些功能適合于研究材料在光照激發(fā)下的上升和下降過程【瞬態(tài)光電流/光電壓/光電荷測試參考我司TranPVC產(chǎn)品】。
3）暗注入瞬態(tài)特性測試（DIT）和深能級瞬態(tài)譜（DLTS）是可以用于探測和分析半導(dǎo)體中的陷阱和缺陷狀態(tài)。DLTS技術(shù)尤為擅長于識別和量化材料中的微小缺陷濃度，為改善半導(dǎo)體材料質(zhì)量提供關(guān)鍵信息。
4）設(shè)備還支持暗態(tài)線性增壓電荷抽取測試（Dark-CELIV）和光態(tài)線性增壓電荷抽取測試（Photo-CELIV），這兩種模式能夠測定電荷在半導(dǎo)體內(nèi)的傳輸和復(fù)合機制，得到遷移率等參數(shù)。
5）等效電荷抽取測試（CE），可以研究器件的電荷濃度。
6）阻抗譜測試（IS）、電容電壓測試（CV）等功能則為設(shè)備增加了額外的維度，使其能夠全面評估材料的阻抗和介電性能。
7）強度調(diào)制光電流譜（IMPS）和強度調(diào)制光電壓譜（IMVS）為研究者提供了一種獨特的方法來探究材料對光強變化的頻率響應(yīng)，這對于光伏材料和應(yīng)用尤為重要。
8）電致發(fā)射譜（ELS）為研究材料的電致發(fā)光特性，得到光譜、色坐標(biāo)等參數(shù)。
產(chǎn)品特點
□ 集成化測試設(shè)備，集成超16種光電測試功能，同時適用電光轉(zhuǎn)換和光電轉(zhuǎn)換器件，如發(fā)光（OLED、PeLED等）與光伏器件（OPV、晶硅PV、異質(zhì)結(jié)疊層PV等）；
□ 可以適用于手套箱等場景測試；
□ 可以靈活耦合變溫恒溫器進(jìn)行變溫測試；
□ IV、TPV、TPC、DIT、DLTS、CELIV、CE、IS、CV、IMPS、IMPV、ELS。
測試功能
□ I-V測試；
□ ON/OFF TPV/TPC測試；
□ 電荷抽取測試CE；
□ 線性增壓載流子測試CELIV；
□ 脈沖電壓測試；
□ 阻抗譜IS；
□ 瞬態(tài)電致測試TranEL；
□ 深能級瞬態(tài)光譜DLTS；
□ 強度調(diào)制光電流譜/光電壓譜IMPS/IMPV；
□ 調(diào)制電致發(fā)光光譜MES。
產(chǎn)品應(yīng)用
□ 半導(dǎo)體：有機半導(dǎo)體、金屬-有機框架、共價有機框、鈣鈦礦材料、二維材料、元素半導(dǎo)體（Si、Ge等）、化合物半導(dǎo)（InGaAs等）、寬帶隙第三代半導(dǎo)體、量子點半導(dǎo)體、其它半導(dǎo)體材料；
□ 光伏材料器件；
□ 發(fā)光材料器件；
□ 光催化材料器件。
功能模塊
多功能光電器件測試儀UltraTran | ||||
功能 | 是否標(biāo)配 | 電光轉(zhuǎn)換器件選配 | 光電轉(zhuǎn)換器件選配 | |
斜坡電壓電流測試（Ramp-IV） | ● | |||
階梯電壓電流測試（Step-IV） | ● | |||
脈沖電壓電流測試（Pulse-IV） | ● | |||
開關(guān)瞬態(tài)光電流（on-off TPC） | × | ● | ||
開關(guān)瞬態(tài)光電壓（on-off TPV） | × | ● | ||
暗注入瞬態(tài)特性測試（DIT） | ● | |||
深能級瞬態(tài)譜（DLTS） | ● | |||
暗態(tài)線性增壓電荷抽取測試（Dark-CELIV） | ● | |||
光態(tài)線性增壓電荷抽取測試（Photo-CELIV） | × | ● | ● | |
電荷抽取測試（CE） | × | ● | ||
阻抗譜測試（IS） | ● | |||
電容電壓測試（CV） | ● | |||
強度調(diào)制光電流譜（IMPS） | × | ● | ||
強度調(diào)制光電壓譜（IMVS） | × | ● | ||
電致發(fā)射譜（ELS） | × | ● | ||
性能參數(shù) | ||||
采樣率 | 250MS/s | |||
時間分辨率 | 5ns | |||
頻率范圍 | 10 mHz to 10 MHz | |||
電壓范圍 | ±12V | |||
電流范圍 | 0~100 mA | |||
最小電流分辨率 | ≤100pA | |||
光電探測模塊 | 波長范圍：350nm-1100nm；上升時間：14ns。 | |||
LED光源模塊 | 色溫：6500K；波長范圍：400nm-700nm； | |||
變溫模塊 | 根據(jù)需要配置液氮低溫恒溫器、液氦低溫恒溫器等 | |||
UltraTran拓展介紹
1、定義
深能級瞬態(tài)光譜（Deep Level Transient Spectroscopy，DLTS）是一種用于檢測半導(dǎo)體材料中深能級缺陷的關(guān)鍵表征技術(shù)，其核心原理是通過測量半導(dǎo)體器件（如 PN 結(jié)、肖特基勢壘）在脈沖電壓擾動下的瞬態(tài)電容或電流變化，來分析缺陷的能級位置、濃度及俘獲截面等參數(shù)。
電荷抽取測試（Charge Extraction，簡稱CE）是一種用于表征半導(dǎo)體材料及器件（尤其是光伏器件）中光生載流子動力學(xué)特性的測試技術(shù)，其核心是通過光脈沖激發(fā)產(chǎn)生載流子后，利用外加電場或接觸電極將載流子快速抽取，通過測量抽取過程中的瞬態(tài)電流或電荷信號，分析載流子的壽命、遷移率、陷阱態(tài)密度及電荷收集效率等關(guān)鍵參數(shù)。
線性增壓載流子測試（Charge Extraction by Linearly Increasing Voltage，簡稱CELIV）是一種用于直接測量半導(dǎo)體材料（尤其薄膜半導(dǎo)體）中載流子遷移率及評估陷阱態(tài)密度的瞬態(tài)電學(xué)表征技術(shù)，其核心是通過光脈沖激發(fā)載流子后，施加一個線性增長的電壓（電壓斜坡）將載流子抽取，通過分析抽取過程中產(chǎn)生的瞬態(tài)電流峰的位置和形狀，計算載流子遷移率并判斷陷阱態(tài)分布。
脈沖電壓測試（Pulse Voltage Testing）是一種通用的電氣性能與可靠性評估技術(shù)，其核心是向被測的電氣元件、設(shè)備或系統(tǒng)施加具有特定參數(shù)（如幅值、寬度、頻率）的短暫脈沖電壓信號，通過測量其在脈沖激勵下的電學(xué)響應(yīng)（如電流、電壓、阻抗變化），來評估其絕緣性能、耐壓能力、瞬態(tài)特性及長期可靠性等關(guān)鍵指標(biāo)。
阻抗譜（Impedance Spectroscopy，簡稱IS）是一種通過施加不同頻率的小幅值交流電壓（或電流） 激勵，測量被測對象（如材料、器件、體系）的交流阻抗隨頻率變化的關(guān)系，進(jìn)而分析其內(nèi)部電學(xué)結(jié)構(gòu)、離子 / 電子輸運過程及界面特性的電化學(xué)與材料表征技術(shù)。
調(diào)制電致發(fā)光光譜（Modulated Electroluminescence Spectroscopy，簡稱MES）是一種通過對電致發(fā)光（EL）器件施加周期性調(diào)制信號，動態(tài)監(jiān)測其發(fā)光光譜隨調(diào)制頻率或相位的變化，從而解析器件內(nèi)部載流子輸運、復(fù)合動力學(xué)及界面特性的光電器件表征技術(shù)。其核心在于通過 “動態(tài)調(diào)制” 與 “相位敏感檢測”（PSD），將復(fù)雜的靜態(tài)光譜分解為與不同物理過程對應(yīng)的動態(tài)響應(yīng)信號。
2、多功能光電器件測試儀在器件研究的應(yīng)用
（1）、半導(dǎo)體材料與器件研究
材料類型應(yīng)用：
有機半導(dǎo)體：用于OLED、PeLED等發(fā)光器件研究
金屬-有機框架(MOF)和共價有機框架(COF)：用于新型光電材料開發(fā)
鈣鈦礦材料：光伏和發(fā)光器件研究
二維材料：如石墨烯、過渡金屬硫化物等光電特性分析
元素半導(dǎo)體（Si、Ge）：傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件測試
化合物半導(dǎo)體（InGaAs）：高速光電探測器研究
第三代寬帶隙半導(dǎo)體：高功率、高頻率器件測試
量子點半導(dǎo)體：新型發(fā)光和光伏材料研究
器件類型應(yīng)用：
光伏器件：OPV（有機光伏）、晶硅PV、異質(zhì)結(jié)疊層PV等
發(fā)光器件：OLED、PeLED等
光催化材料器件：用于環(huán)境凈化、能源轉(zhuǎn)換等
（2）、光電器件性能測試與分析
核心測試功能應(yīng)用：
電致發(fā)光光譜(ELS)：研究材料的電致發(fā)光特性，獲取光譜、色坐標(biāo)等參數(shù)
阻抗譜測試(IS)：評估材料的阻抗和介電性能
強度調(diào)制光電流譜(IMPS)/光電壓譜(IMVS)：探究材料對光強變化的頻率響應(yīng)，對光伏材料尤為重要
深能級瞬態(tài)譜(DLTS)：探測和分析半導(dǎo)體中的陷阱和缺陷狀態(tài)，量化缺陷濃度
開關(guān)瞬態(tài)光電流/光電壓(on-off TPC/TPV)：研究材料在光照激發(fā)下的上升和下降過程
脈沖電壓電流測試(Pulse-IV)：研究器件的動力學(xué)IV特性，減少熱阻，增加注入電流
3、產(chǎn)品主要測試功能特點
（1）、電學(xué)特性測試方法
斜坡電壓電流測試（Ramp-IV）：以連續(xù)方式提供電壓掃描，適用于捕捉材料響應(yīng)的連貫變化
階梯電壓電流測試（Step-IV）：以逐步階梯方式提供電壓，適合觀察材料在不同電壓階躍下的穩(wěn)態(tài)行為
脈沖電壓電流測試（Pulse-IV）：通過短時電壓脈沖，研究器件的動力學(xué)IV特性，有效減少器件熱阻，增加注入電流
（2）、瞬態(tài)特性測試
開關(guān)瞬態(tài)光電流（on-off TPC）和開關(guān)瞬態(tài)光電壓（on-off TPV）：研究材料在光照激發(fā)下的上升和下降過程
暗注入瞬態(tài)特性測試（DIT）：分析暗態(tài)下材料的瞬態(tài)響應(yīng)特性
深能級瞬態(tài)譜（DLTS）：探測和分析半導(dǎo)體中的陷阱和缺陷狀態(tài)，識別和量化微小缺陷濃度
暗態(tài)線性增壓電荷抽取測試（Dark-CELIV）和光態(tài)線性增壓電荷抽取測試（Photo-CELIV）：測定電荷在半導(dǎo)體內(nèi)的傳輸和復(fù)合機制，獲取遷移率等參數(shù)
電荷抽取測試（CE）：研究器件的電荷濃度
（3）、光譜特性測試方法修改為→光電譜特性測試
阻抗譜測試（IS）：評估材料的阻抗和介電性能
電容電壓測試（CV）：分析材料的電容特性
強度調(diào)制光電流譜（IMPS）和強度調(diào)制光電壓譜（IMVS）：探究材料對光強變化的頻率響應(yīng)，對光伏材料尤為重要
電致發(fā)射譜（ELS）：研究材料的電致發(fā)光特性，獲取光譜、色坐標(biāo)等參數(shù)
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