1. 產品概述

AL-1通過交替向反應室提供有機金屬原料和氧化劑，僅利用表面反應沉積薄膜，實現了高膜厚控制和良好的步驟覆蓋率。薄膜的厚度可以控制在原子層的數量。此外，可以在高寬比的孔內壁上沉積覆蓋性好、厚度均勻的薄膜。可同時沉積3片?4英寸的晶片。

2. 設備用途/原理

用于下一代功率器件的柵氧化膜和鈍化膜。在3D結構上形成均勻的薄膜，如MEMS。激光表面的沉積。碳納米管的鈍化膜。

3. 設備特點

成膜效率高，通過提供幾十毫量的脈沖，減少了原材料的損耗，提高了沉積效率。真空清潔，溫度不均勻性小，通過緊貼反應室內壁的內壁加熱器，抑制反應室的溫度不均勻，可獲得清潔的真空。無針孔成膜，由于多種驅體在反應室中沒有混合，因此可以防止顆粒，形成無針孔的薄膜。