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東譜科技于2017年由專業研究人員和行業工程師聯合發起注冊成立，總部位于廣州，是專業的光電譜學類儀器及技術方案服務商，業務覆蓋光電譜學設備研制、生產、銷售、技術服務等，自主研發的系列譜學檢測產品已廣泛應用于材料科學、生命科學、食品科學、環境科學、石油化工、地質學等領域。公司長期聚焦光電譜學類產品與技術的研發，提供專業的光電譜學“產品+技術+服務”的系統解決方案，致力于成為行業前排的光電譜學類儀器及技術方案服務商，推動行業創新發展。
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真空鍍膜儀不銹鋼腔體系列產品參數
| 應用領域 | 化工,生物產業,能源,制藥/生物制藥,綜合 |
真空鍍膜儀不銹鋼腔體系列詳細信息
產品簡介
SteeVac系列可提供200A蒸鍍電流，蒸發溫度可600°C，能夠滿足大部分有機材料的蒸鍍，也可按客戶需求定制更高蒸鍍溫度；真空腔室采用優質不銹鋼材料，采用方形結構，內部空間充足；可設置16組不同的蒸發材料，滿足各種復雜的蒸鍍條件；搭配分子泵可達優于5*10-4Pa的真空度，適應絕大部分蒸發材料所需真空環境；配備全自動抽真空系統；可以實現軟件點擊開啟抽真空，全自動根據真空度檢測機械泵、分子泵、閘板閥、電磁閥的智能開啟，實現鼠標一鍵式抽真空。配備手套箱防抽爆自動檢測系統。
產品特點
□ 自動切換掩膜系統；
□ 自動開關腔體，自動抽真空、退真空系統；
□ 自動鍍膜工藝；
□ *的錯誤檢測系統
□ 優異的鍍膜均勻性；
□ 提供定制化服務。
產品應用
□ 有機分子薄膜制備；
□ 半導體薄膜制備；
□ 光學薄膜制備；
□ 金屬電極制備；
□ 典型樣品：OLED、鈣鈦礦、薄膜電池、薄膜晶體管等。
功能參數
□ 蒸發源數量：2~16組可選；
□ 蒸發電流：0~200A連續可調；
□ 蒸發電源模組：1~10組可選，功率600W,1200W,1500W可選；
□ 極限真空：優于4*10-5Pa；
□ 樣品與蒸發源距離：固定或0~70mm可調；
□ 鎢舟擋板：按蒸發源標配，2~16組；
□ 氣壓保護：進口壓力開關，正負壓可設置，有效保護真空環境；
□ 抽氣速率：常壓至5*10-2Pa≤10min；
□ 掩膜庫：4位/6位/8位可選；
□ 真空保持：停止真空系統后12小時≤2 Pa；
□ 門板控制：手動、手動自動集成可選。
規格型號
參數/規格 | SteeVac 260 | SteeVac 360 | SteeVac 460 |
鍍膜方式 | 多源熱蒸發鍍膜 | 多源熱蒸發鍍膜 | 熱蒸發鍍膜 |
腔體結構 | 方形，前后開門，可配合手套箱安裝 | 方形，前后開門，可配合手套箱安裝 | 方形，前后開門，可配合手套箱安裝 |
材質用料 | 優質真空不銹鋼 | 優質真空不銹鋼 | 優質真空不銹鋼 |
真空腔室尺寸 | L260*W262*H351 | L360*W363*H486 | L460*W464*H635 |
電極分布 | 扇形分布，相互間擋板隔離，避免交叉污染 | 扇形分布，相互間擋板隔離，避免交叉污染 | 扇形分布，相互間擋板隔離，避免交叉污染 |
低溫源（有機/氧化物等）數量 | 最多6個蒸發源 | 最多9個蒸發源 | 最多13個蒸發源 |
低溫源溫度范圍 | 室溫~600°C | 室溫~600°C | 室溫~600°C |
低溫源切換 | PC控制/手動 | PC控制/手動 | PC控制/手動 |
高溫源（金屬）數量 | 1~3可選 | 1~4可選 | 1~6可選 |
基片臺（樣品架）方案一 | φ161mm，圓形 | φ224mm，圓形 | φ287mm，圓形 |
基片臺（樣品架）方案二 | 80*80mm,方形 | 110*110mm，方形 | 150*150mm，方形 |
基片臺（樣品架）加熱 | 常溫/加熱，加熱可選配室溫~400℃或室溫~200℃溫控范圍 | ||
基片臺（樣品架）高度 | 樣品架與源表面距離：≤330mm；裝片方式：側插方式 | ||
樣品托及掩模版 | 70×70mm，可放置65×65mm樣品 | 100×100mm，可放置90×90mm樣品 | 134×134mm樣品或放16片25×25mm樣品 |
參數/規格 | SteeVac 260 | SteeVac 360 | SteeVac 460 |
基片臺擋板 | 程控，氣缸+磁流體驅動，傳動穩定，密封可靠 | 程控，氣缸+磁流體驅動，傳動穩定，密封可靠 | 程控，氣缸+磁流體驅動，傳動穩定，密封可靠 |
基片臺升降 | 固定間距或0~30mm可調 | 固定間距或0~50mm可調 | 固定間距或0~70mm可調 |
基片尺寸 | ≤30×30mm | ≤30×30mm | ≤30×30mm |
膜厚不均勻性 | ≤5% | ≤5% | ≤5% |
備用接口 | 4 | 6 | 6 |
門板控制 | 手動/自動/手自一體 | 手動/自動/手自一體 | 手動/自動/手自一體 |
系統控制 | PC軟件；速率自動控制，功率控制，溫度控制。 | PC軟件；速率自動控制，功率控制，溫度控制。 | PC軟件；速率自動控制，功率控制，溫度控制。 |
蒸鍍過程控制 | 各操作環節，掩膜板更換、樣品架旋轉及定位、電源功率調節等均可在軟件界面完成 | 各操作環節，掩膜板更換、樣品架旋轉及定位、電源功率調節等均可在軟件界面完成 | 各操作環節，掩膜板更換、樣品架旋轉及定位、電源功率調節等均可在軟件界面完成 |
總功率 | ≥5KW | ≥8KW | ≥10KW |
抽氣速率 | 5.0×10-2Pa≤5min | 5.0×10-2Pa≤8min | 5×10-2Pa≤10min |
極限真空 | 優于4.0×10-5Pa | 優于4.0×10-5Pa | 優于4.0×10-5Pa |
漏率 | ≤6.5×10-8Pa·L/S | ≤6.5×10-8Pa·L/S | ≤6.5×10-8Pa·L/S |
工作真空 | ≥5×10-4Pa，從大氣到工作真空時間≤30min | ||
系統保壓 | 系統抽到極限后，停泵關機12小時后，系統真空度保持≤2Pa | ||
參數/規格 | SteeVac 260 | SteeVac 360 | SteeVac 460 |
分子泵類別 | 油/脂潤滑、磁懸浮可選 | 油/脂潤滑、磁懸浮可選 | 油/脂潤滑、磁懸浮可選 |
冷卻系統 | 搭配循環水冷卻 | 搭配循環水冷卻 | 搭配循環水冷卻 |
循環水參數 | ≤4LMP，溫度范圍-5°C~45°C，溫控精度0.1% | ≤4LMP，溫度范圍-5°C~45°C，溫控精度0.1% | ≤4LMP，溫度范圍-5°C~45°C，溫控精度0.1% |
掩膜庫一 | 4位 | 4位 | 4位 |
掩膜庫二 | 6位 | 6位 | 6位 |
掩膜庫 | 8位 | 8位 | 8位 |
真空系統 | 分子泵+機械泵，PC軟件控制 | 分子泵+機械泵，PC軟件控制 | 分子泵+機械泵，PC軟件控制 |
蒸發電源 | 控制方式：恒流模式； 數量：按客戶要求； 功率：600W,1200W，1500W可選； 精度：程控精度為量程的0.01%。 | 控制方式：恒流模式； 數量：按客戶要求； 功率：600W,1200W，1500W可選； 精度：程控精度為量程的0.01%。 | 控制方式：恒流模式； 數量：按客戶要求； 功率：600W,1200W，1500W可選； 精度：程控精度為量程的0.01%。 |
典型：金屬源×4套，有機源×4套，內門，外門下方各放兩只有機源，左右各放兩只金屬源；有機源可開艙調整角度，帶有標尺，范圍豎直到指向樣品中心。 | |||
真空保持 | 12小時≤2Pa | 12小時≤2Pa | 12小時≤2Pa |
系統保護 | 氣壓、高壓保護，控制系統全程即時報警 | 氣壓、高壓保護，控制系統全程即時報警 | 氣壓、高壓保護，控制系統全程即時報警 |
參數/規格 | SteeVac 260 | SteeVac 360 | SteeVac 460 |
氣路控制 | 超高真空氣動電磁閥 | 超高真空氣動電磁閥 | 超高真空氣動電磁閥 |
電氣柜 | 與系統一體式集成化，節省空間 | 與系統一體式集成化，節省空間 | 與系統一體式集成化，節省空間 |
腔室測溫 | 可選高精度PT100測溫，軟件實時顯示溫度值 | 可選高精度PT100測溫，軟件實時顯示溫度值 | 可選高精度PT100測溫，軟件實時顯示溫度值 |
膜厚儀 | 腔室內可安裝1~8個探頭標配優質石英晶振膜厚控制儀；可選國產或進口監測控制儀 | 腔室內可安裝1~8個探頭標配優質石英晶振膜厚控制儀；可選國產或進口監測控制儀 | 腔室內可安裝1~8個探頭標配優質石英晶振膜厚控制儀；可選國產或進口監測控制儀 |
真空計顯示范圍 | 1.0×105Pa~1.0×10-5Pa | 1.0×105Pa~1.0×10-5Pa | 1.0×105Pa~1.0×10-5Pa |
機架 | 進口鋁型材組裝，整體簡潔大方 | 進口鋁型材組裝，整體簡潔大方 | 進口鋁型材組裝，整體簡潔大方 |
顯示屏 | 搭配工業級屏幕支架，可任意角度旋轉及隨意升降，滿足不同用戶的舒適要求 | 搭配工業級屏幕支架，可任意角度旋轉及隨意升降，滿足不同用戶的舒適要求 | 搭配工業級屏幕支架，可任意角度旋轉及隨意升降，滿足不同用戶的舒適要求 |
AluVac/SteeVac拓展介紹
1、真空鍍膜儀在器件研究的應用
（1）、半導體與電子器件領域
芯片電極與互聯層制備：
采用磁控濺射技術沉積 Ti、TiN、Cu、Al 等金屬薄膜，作為芯片的柵電極、源漏電極及金屬互聯線。
半導體封裝與鈍化層制備：
利用電子束蒸發或等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）沉積 SiO?、Si?N?薄膜，作為芯片表面鈍化層，防止水汽、雜質侵蝕。
MEMS 器件結構制備：
通過濺射或蒸發沉積金屬、絕緣薄膜，構建 MEMS 傳感器的敏感結構與電極。
（2）、光電材料與器件領域
太陽能電池薄膜制備：
鈣鈦礦太陽能電池：采用真空熱蒸發沉積 Au、Ag 等金屬電極，或濺射 ITO 透明導電薄膜，提升光電轉換效率與器件穩定性。
薄膜太陽能電池：通過磁控濺射沉積 CdTe、CIGS 等吸收層薄膜，搭配 ZnO 緩沖層，實現高效光吸收與載流子分離。
發光器件（LED/OLED）制造：
LED：采用電子束蒸發沉積 GaN 基外延層或 ITO 透明電極，濺射 Au 鍵合層，提升光提取效率與電流分布均勻性。
OLED：通過真空熱蒸發沉積有機發光層）、空穴傳輸層與電子傳輸層，精準控制薄膜厚度以優化發光性能。
光探測器與光學元件鍍膜：
沉積紅外吸收膜、增透膜，提升光探測器的響應率與光學元件的透光效率。
（3）、新能源材料領域
固態電池電極與電解質制備：
采用磁控濺射沉積 LiCoO?、LiFePO?等正極薄膜，或濺射 Li?PO?、LiPON 等固態電解質薄膜，解決液態電解質漏液、安全隱患問題。
超級電容器電極修飾：
濺射或蒸發沉積活性炭、石墨烯復合薄膜，或金屬氧化物薄膜，提升電極比表面積與導電性，增強儲能容量。
2、產品主要測試功能特點
（1）、真空環境精準控制
配備多級真空泵組，極限真空度可達 10??Pa，滿足高純度薄膜制備需求；部分型號支持真空梯度控制，適配不同鍍膜階段的壓強要求。
采用 PID 閉環反饋控制真空度與氣體流量，搭配高精度真空計與 MFC，確保鍍膜過程中真空環境與氣體氛圍的穩定性，減少薄膜缺陷。
（2）、多鍍膜技術集成
兼容多種鍍膜技術，如磁控濺射、電子束蒸發、熱蒸發、等離子體增強化學氣相沉積等，可根據薄膜材料靈活選擇。
支持多靶材配置，可實現多層薄膜交替沉積，適配復雜器件結構制備。
（3）、高精度鍍膜調控
沉積速率可精準調節，結合 QCM 實時監控與反饋調節，薄膜厚度控制精度可達 ±0.5nm，滿足微納器件對薄膜尺寸的嚴苛要求。
樣品臺支持旋轉與公轉，提升大面積樣品的鍍膜均勻性；部分型號配備偏壓電源，通過施加負偏壓改善薄膜致密性與附著力。
（4）、高兼容性與適配性
樣品臺兼容晶圓、芯片、薄膜、柔性基底、三維器件等多種形態樣品，支持室溫至 500℃的溫度調控，適配半導體、光電、新能源等多領域需求。
可更換不同材質靶材與反應氣體，實現金屬膜、氧化物膜、氮化物膜、硫化物膜等多種功能薄膜的制備。
（5）、自動化與智能化操作
配備專用控制軟件，支持預設鍍膜工藝參數，自動完成抽真空、鍍膜、泄壓全流程，減少人為操作誤差。
支持數據實時采集與存儲，兼容 Excel、Origin 等軟件導出，方便工藝優化與數據追溯。
（6）、安全穩定運行
內置多重安全保護機制，包括真空低液位報警、超溫 / 超壓保護、氣體泄漏檢測、應急泄壓裝置，保障設備長期穩定運行與操作人員安全。
采用模塊化設計，真空泵、靶材、控制系統等部件可獨立拆卸與維護，降低設備故障率與維護成本。
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移動站：真空鍍膜儀不銹鋼腔體系列
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