Booster SWA單片退火系統主要用于12英寸后段金屬互聯退火工藝。該機臺為多腔集群設備，能夠進行全自動并行工藝處理。Booster SWA單片退火系統主要由傳輸模塊和3個工藝模塊組成，其中工藝模塊主要用于Post Etch和Post Cu CMP退火工藝，通過去除Low-K材料吸附的水汽以恢復K值，傳輸模塊用于將晶圓安全而準確地送達到指定工位。

設備特點

•設備加熱系統采用 “雙模式 + 雙腔式” 結構：“雙模式” 指加熱系統支持不同溫度區間、不同升溫速率的工藝設置，可根據具體工藝需求靈活切換，無需更換加熱組件；“雙腔式” 則是每個工藝模塊內部集成兩個獨立加熱腔，可同時處理兩片晶圓，進一步提升單模塊處理效率。這種設計既增強了工藝適配靈活性，又為產能提升提供了結構基礎。

•穩定的溫度均勻性與良好的設備產能

溫度均勻性：加熱系統搭載多組溫度傳感器與閉環控溫算法，可實時監測加熱腔不同區域的溫度，將腔室內溫度差異控制在較小范圍。均勻的溫度環境能確保晶圓各區域退火效果一致，避免因局部溫度不均導致的 “部分區域 K 值未恢復、部分區域銅層應力殘留” 等問題，保障晶圓工藝質量的一致性；

設備產能：依托多腔集群架構與并行處理能力，3 個工藝模塊可同時運行，加上全自動操作減少人工干預時間，設備整體產能可適配 12 英寸晶圓產線的批量生產節奏，無需頻繁增加設備投入即可滿足產線產能需求。

•設備配備高速 Load-lock（真空過渡室），核心作用是減少工藝模塊的真空切換時間：退火工藝需在特定氣氛（如惰性氣體保護）或真空環境下進行，傳統設備切換晶圓時需先破真空、取放晶圓、再抽真空，耗時較長；而高速 Load-lock 可提前完成晶圓的真空過渡 —— 晶圓先要進入 Load-lock 完成抽真空 / 氣氛置換，再快速傳入工藝模塊，無需頻繁破環工藝模塊的穩定環境。這一設計不僅縮短了單片晶圓的工藝周期，還減少了工藝模塊的真空系統損耗，降低設備維護成本與運營能耗，實現 “大產能、低運營成本” 的平衡。

產品應用

晶圓尺寸適配：專為12 英寸晶圓設計，設備的傳輸軌道寬度、工藝模塊腔室尺寸、晶圓承載結構均針對 12 英寸晶圓的物理特性（直徑 300mm）優化，可穩定承載、傳輸 12 英寸晶圓，避免因尺寸不匹配導致的晶圓傳送偏移或工藝腔室適配誤差，契合當前 12 英寸集成電路產線的主流需求。

•適用工藝：Sub 40nm BEOL 單片退火

BEOL（后段工藝）：指集成電路制造中 “器件制備完成后，進行金屬互聯、絕緣層沉積” 的工序，退火工藝是 BEOL 的關鍵輔助步驟，直接影響金屬互聯的可靠性；

Sub 40nm：表示設備可適配特征尺寸小于 40 納米的集成電路工藝，這類工藝對金屬互聯的精度、絕緣性能要求更高，設備通過穩定的溫度控制與 Low-K 材料水汽去除能力，可滿足 Sub 40nm 工藝對退火效果的嚴苛要求；

單片退火：采用單片式處理方式，可針對每片晶圓的工藝參數進行細微調整（如根據前序工藝的偏差，微調退火溫度或時間），保障每片晶圓的退火效果均符合標準，避免批量處理中 “一片異常、多片受影響” 的問題。

•適用領域：集成電路

核心應用于集成電路制造領域，具體覆蓋邏輯芯片、存儲芯片（如 DRAM、NAND）等各類集成電路的后段金屬互聯工序。在集成電路向 “更小制程、更大尺寸晶圓” 發展的趨勢下，設備通過適配 12 英寸晶圓與 Sub 40nm 工藝，可保障后段金屬互聯的穩定性，間接提升芯片的性能（如降低信號延遲）與使用壽命，是集成電路制程制造中的重要輔助設備。