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內容聲明：
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產品簡介
Laser Components雪崩光電二極管 近紅外產品參數
| 產地類別 | 進口 | 價格區間 | 1-2千 |
| 應用領域 | 綜合 |
Laser Components雪崩光電二極管 近紅外詳細信息
1100~1700nm,有效感光區域直徑80-500μm，InGaAs雪崩光電二極管
LASER COMPONENTS推出的InGaAs近紅外雪崩光電探測器可探測1100納米至1700納米光譜范圍。與鍺APD相比，近紅外雪崩光電二極管具有顯著更優的噪聲特性。相對于其有效面積，它們能提供更高的帶寬，并且得益于其高達1700納米的增強靈敏度而具有優勢。
LC銦鎵砷APD探測器具備IAG與IAL兩種型號，IAG系列近紅外雪崩光電探測器具有低噪聲特性。IAG系列近紅外雪崩光電探測器可在放大因子M=30下工作，傳統APD在放大倍數約為M=10時，噪聲就已非常強，以至于幾乎無法實現有效的信號探測。特別是在環境光較弱的應用中，這些銦鎵砷APD探測器可以在高放大倍數下運行，并顯著提高其靈敏度。對于三維掃描儀和測距儀而言，可以實現相當大的測量范圍。IAG系列雪崩光電二極管是市面上可獲得的尺寸大的LC近紅外雪崩光電二極管，在1000至1630納米波長范圍內具有高響應度和極快的上升/下降時間。其在1550納米處的峰值響應度非常適用于人眼安全測距應用、自由空間光通信、OTDR（光時域反射儀）以及高分辨率光學相干斷層掃描。InGaAs近紅外探測器芯片采用改良的TO-46封裝進行氣密封裝。亦可提供表貼（SMD）和帶尾纖的版本。IAG系列銦鎵砷APD探測器提供有效區域直徑分別為80μm、200μm或350μm的產品。而除了IAG以外在許多測距應用中，M=20的增益足夠。在這些情況下，IAL系列的LC近紅外雪崩光電二極管為IAG系列的探測器提供了一個高性價比的替代選擇。它們設計用于800納米至1700納米之間的波長，并在幾乎整個波長范圍內實現70%的量子效率。Laser Components雪崩光電二極管 近紅外
1100~1700nm InGaAs雪崩光電二極管系列特點：
-IAG具備80、200或350μm有效感光區域，IAL具備woo或500μm有效感光區域
-InGaAs近紅外探測器高達2.5GHz的帶寬
-在1000至1600納米范圍內量子效率（QE）超過70%
-低暗電流和低噪聲
-改良型TO-46封裝或陶瓷基座
-可提供光纖耦合版本
1100~1700nm InGaAs雪崩光電二極管系列應用：
-測距
-光通信系統
-光學相干斷層掃描
-弱光檢測
1100~1700nm銦鎵砷APDs的IAG規格參數：
InGaAs近紅外雪崩光電二極管通用特性（環境溫度T=21°C）
參數項目 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
波長范圍(nm) | 1000 | 1630 | |
峰值靈敏度(nm) | 1550 |
InGaAs近紅外雪崩光電二極管絕對最大額度值：IAG080X/IAG200X/IAG350X
參數項目 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
儲存溫度(°C) | -60 | 125 | |
工作溫度(°C) | 85 | ||
最大反向電流(mA) | 1 | ||
最大正向電流(mA) | 10 | ||
光輸入(10ns脈沖)(kW/cm2) | 200 | ||
光輸入(平均)(dBm) | 0/0/2 | ||
焊接溫度(15秒內)(°C) | 260 |
InGaAs近紅外雪崩光電二極管電氣特性（殼溫Tc=25°C,波長λ=1550nm）
參數項目 | IAG080X | IAG200X | IAG350X | ||||||
最小值 | 典型值 | 最大值 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
有效區域直徑(μm) | 78 | 80 | 82 | 200 | 205 | 210 | 350 | 352 | 355 |
響應度@M=1(A/W) | 0.85 | 0.94 | 1.05 | 0.09 | 0.94 | 1.05 | 0.90 | 0.94 | 1.05 |
暗電流@M=10(nA) | -3 | 15 | 25 | 50 | 50 | 250 | |||
工作電壓Vr@M=10(V) | 60 | 70 | 55 | 65 | 45 | 60 | |||
擊穿電壓Vbr(Id=10μA)(V) | 45 | 66 | 75 | 45 | 60 | 75 | 30 | 55 | 70 |
電容(pF) | 0.32 | 0.35 | 0.40 | 1.7 | 2.1 | 35 | 4.1 | 4.6 | |
Vbr溫度系數(V/°C) | 0.075 | 0.075 | 0.075 | ||||||
帶寬@M=5(GHz) | 2.0 | 2.5 | 3.0 | 0.5 | 1.0 | 1.5 | 0.6 | ||
帶寬@M=10(GHz) | 2.0 | 2.5 | 3.0 | 0.5 | 1.0 | 1.5 | 0.6 | ||
帶寬@M=20(GHz) | 1.5 | 2.2 | 2.5 | 0.5 | 0.8 | 1.2 | 0.6 | ||
超噪因子F@M=10 | 3.2 | 3.7 | 3.2 | 3.7 | 3.2 | 3.7 | |||
超噪因子F@M=20 | 5.5 | 6.0 | 5.5 | 6.0 | 5.5 | 6.0 | |||
NEP@M=10(pW/√Hz) | 0.04 | 0.07 | 0.07 | 0.2 | 0.12 | ||||
~1700nm銦鎵砷APDs的IAL規格參數：
近紅外InGaAs雪崩探測器通用特性（環境溫度T=21°C）
參數項目 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
波長范圍(nm) | 800 | 1700 | |
峰值靈敏度(nm) | 1550 |
近紅外InGaAs雪崩探測器絕對最大額度值：IAG080X/IAG200X/IAG350X
參數項目 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
儲存溫度(°C) | -45 | 100 | |
工作溫度(°C) | -40 | 85 | |
最大反向電流(mA) | 5 | ||
最大正向電流(mA) | 3 | ||
光輸入(M=10;10ns;10kHz)(mW) | 1 | ||
平均光輸入(M=10;10ns;10kHz)(mW | 2 | ||
焊接溫度(10秒內)(°C) | 260 |
近紅外InGaAs雪崩探測器電氣特性（殼溫Tc=25°C,波長λ=1550nm）
參數項目 | IAL200XX | IAL500XX | ||||
最小值 | 典型值 | 最大值 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
有效直徑(μm) | 200 | 500 | ||||
波長范圍(nm) | 800 | 1700 | 800 | 1700 | ||
峰值靈敏度(nm) | 1550 | 1550 | ||||
響應度@M=1(A/W) | 0.9 | 0.9 | ||||
暗電流@M=10(nA) | 25 | 50 | 40 | 250 | ||
工作電壓Vr@M=10(V) | 36 | 51 | 56 | 37 | 52 | 57 |
擊穿電壓Vbr(Id=10μA)(V) | 40 | 55 | 60 | 40 | 55 | 60 |
電容@M=10(pF) | 2.4 | 5 | ||||
Vbr溫度系數(V/°C) | 0.11 | 0.15 | 0.11 | 0.2 | ||
帶寬@M=10;R=50Ω(GHz) | 0.6 | 0.25 | 0.5 | |||
上升時間@M=10;R=50Ω(ps) | 500 | 700 | ||||
超噪因子F@M=10 | 6 | |||||
NEP@M=10(pW/√Hz) | 0.06 | 2 | ||||
1100~1700nm InGaAs APDs的IAG性能測試圖表：
1100~1700nm InGaAs APDs的IAL性能測試圖表：
1100~1700nm InGaAs雪崩光電二極管的IAG封裝圖紙：
1100~1700nm InGaAs APDs的IAL封裝圖紙
Laser Components雪崩光電二極管 近紅外
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