G10-GaN CVD氮化鎵化學氣相沉積系統是面向6/8 英寸 GaN 功率與射頻器件的新一代量產型 MOCVD 設備，高產能、高均勻性、低成本，專為新能源與 5G 通信外延量產設計。

G10-GaN CVD氮化鎵化學氣相沉積系統核心配置與產能

晶圓規格與裝載量：單腔支持 8×150 mm（6 英寸）或 5×200 mm（8 英寸）；最多 3 個工藝腔的集群設計，總產能可達 15×200 mm 晶圓（行星式批處理反應腔技術加持）。                                   

緊湊型集群布局：潔凈室占地面積較前代減少 50%，單位面積產出業內突出；全自動化盒對盒（C2C）晶圓傳輸，支持 50 片晶圓的無人值守運行。

關鍵工藝控制：單晶圓閉環頂面溫度控制；5 流道注入器（5-flow injector）實現厚度與組分的獨立精準調控，材料均勻性較前代提升顯著；顆粒密度低至～0.1/cm2；設備可用率≥90%，相較上一代提升超 5%。                           

軟件與一致性保障：搭載傳感器、智能軟件套件和指紋識別方案，確保腔間、批次間、維護周期內的工藝穩定性；支持從 G5+ C 等主流機型無縫工藝遷移。