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產品簡介
| 產地類別 | 國產 | 應用領域 | 綜合 |
282nm深紫外激光二極管
一.282nm深紫外激光二極管產品概述
繼氮化鎵(GaN)藍光LED和晶體管等緊湊型交流適配器創新的突破材料之后,氮化鋁(AlN)作為超寬帶隙半導體正崛起,成為吸引關注的下一代材料。昊量光電新推出深紫外激光二極管,運用緊湊高效激光二極管技術實現了<300nm的更短波長,在半導體制造、滅菌和精密檢測等領域具有高度應用潛力!
二.參數
封裝:φ5.6mm
多橫模
光學輸出功率:10mW
絕對額定值
參數 | 符號 | 絕對額定值 | 單位 |
光學輸出功率 | PO | 15 | mW |
允許正向電流 | IF | 120 | mA |
儲存溫度 | TST | 20-40 | °C |
工作溫度 | TC | 20-30 | °C |
特征參數 (TC=25°C)(脈沖驅動條件:50 µs 寬度,占空比1%,200 Hz)
參數 | 狀態 | 符號 | 典型值 | 單位 |
峰值波長 | PO=10mW | λp | 282 | nm |
門限電流 | Pulse | Ith | 55 | mA |
工作電流 | PO=10mW | Iop | 70 | mA |
斜度效率 | Pulase | η | 1 | W/A |
工作電壓 | PO=10mW | Vop | 9 | V |
光束發散性(平行) | PO=10mW | θ// | 15 | ° |
光束發散性(垂直) | PO=10mW | θ⊥ | 55 | ° |


一.產品概述
繼氮化鎵(GaN)藍光LED和晶體管等緊湊型交流適配器創新的突破材料之后,氮化鋁(AlN)作為超寬帶隙半導體正崛起,成為吸引關注的下一代材料。昊量光電新推出282 nm深紫外激光二極管,運用緊湊高效激光二極管技術實現了<300nm的更短波長,在半導體制造、滅菌和精密檢測等領域具有高度應用潛力!
二.參數
封裝:φ5.6mm
多橫模
光學輸出功率:10mW
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