基礎核心參數

1. 工作原理：高速可調諧激光干涉 OCT 檢測，單側光路采集晶圓上下表面反射干涉信號，換算點位厚度數值；設備搭載電控位移臺實現螺旋 / 網格全域掃描，自動輸出 SEMI 標準平整度指標，全程記錄坐標、厚度、平整度時序云圖數據，用于研磨拋光工藝整改與批量晶圓品質歸檔復盤。

2. 完整型號區分

• TMS-2000 標準臺式款：2-12 英寸晶圓通用，實驗室離線抽檢專用

• TMS-2000-IN 產線集成款：適配 EFEM 晶圓傳輸機臺，全自動在線批量檢測

3. 測量適配晶圓尺寸：2 英寸～12 英寸圓形 / 方形襯底

4. 厚度測量區間：15～1400μm

5. 厚度重復精度：≤1nm

6. 最小采樣步距：30μm 高密度掃描

7. 單片測量時長：30～120 秒（隨掃描密度可調）

8. 支持檢測材料：普通硅、重摻硅、SiC、GaN、SOI、薄膜多層襯底

9. 輸出標準參數：TTV、BOW、WARP、TIR、STIR，符合 SEMI 國際規范

10. 掃描模式：螺旋高速掃描、網格均勻掃描、局部定點掃描三種

11. 數據存儲：本地存儲上萬組晶圓測繪文件，配套 PC 分析軟件批量導出云圖報表

12. 通訊拓展：USB、網口對接工廠 MES 系統，支持自動上傳檢測數據

13. 整機尺寸重量：565×710×710mm，整機約 69kg 臺式密閉防護機身

14. 供電規格：AC100~240V 寬幅市電，50/60Hz

15. 使用環境：20±5℃恒溫潔凈間，濕度 40%~70% 無凝露，半導體無塵車間工況

日本SANTEC 晶圓厚度分布測繪測量系統

核心功能特點

1. 1nm 亞納米級重復測量精度，精準捕捉微米級厚度偏差，匹配優良制程晶圓嚴苛公差管控

2. 抗溫變抗震動架構，產線振動、溫度波動環境下數據穩定，無需嚴苛恒溫防震隔間

3. 單側非接觸光路，無需翻面夾持，超薄易碎 SiC/GaN 功率晶圓無劃傷、無破損風險

4. 全品類晶圓兼容，單臺覆蓋硅、碳化硅、氮化鎵、多層 SOI 襯底，不用多臺設備分測

5. 多模式自定義掃描，整片快速普查、邊緣重點高密度檢測、局部工藝點位定點分析自由切換

6. 內置 SEMI 全套平整度算法，自動計算行業通用指標，云圖可視化直觀定位厚薄異常區域

7. 完整審計追蹤數據，每張晶圓厚度云圖、原始點位數據自動存檔，審廠報告一鍵生成

8. 緊湊型密閉無塵機身，內部腔體易擦拭清潔，適配百級千級半導體潔凈車間長期運行

適用場景

1. 功率半導體行業：SiC、GaN 碳化鎵晶圓研磨、背面減薄、拋光工序厚度均勻度檢測

2. 集成電路制造：單晶硅襯底、重摻雜硅片整片 TTV、翹曲度量產在線抽檢

3. 復合襯底研發：SOI 多層結構、薄膜外延片厚度分布、界面平整度對比實驗

4. 晶圓加工制程：切片、拋光、背面研磨工藝優化，定位局部厚薄異常調整設備參數