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基礎核心參數

1. 工作原理：磁場約束氬離子轟擊貴金屬靶材，靶材原子均勻沉積在樣品表層形成超薄連續導電薄膜；腔體內置壓力、電流采集模塊，完整存儲整套濺射工藝時序數據，用于材料表面改性、電鏡樣品前處理工藝整理復盤。

2. 同系列型號區分

• MSP-20MT 標準款：標配 φ100mm 磁控靶，大尺寸平板、4 英寸晶圓批量試樣專用

• MSP-20UM 旋轉傾斜款：小型試樣三維均勻鍍膜，搭配旋轉樣品臺，不具備大靶材承載能力

• MSP-20TK 鎢靶專用款：超高倍率電鏡觀測，鎢膜沉積，不適用于大面積樣品改性

3. 供電規格：單相 AC100V 15A，接地三芯供電

4. 整機尺寸重量：寬 354× 深 400× 高 352mm，整機 20kg

5. 真空機組：50L/min 旋片式機械泵，獨立旁路雙排氣切換結構

6. 濺射腔體：內徑 φ149mm 硬質玻璃腔體，腔高 82mm

7. 樣品承載：標準 φ100mm 樣品臺，最大放置試樣 φ130mm，厚度≤30mm

8. 靶材規格：φ100mm，厚度 0.1mm，兼容金、鉑、金銀合金、鉑鈀合金、銀靶

9. 工藝氣體：高純氬氣，針閥精密調節進氣流量

10. 安全配置：腔體開蓋互鎖、真空不足禁止起輝、過流過載聲光報警

11. 運行模式：全自動一鍵鍍膜、手動分段調節兩種模式

12. 使用環境：10~35℃低粉塵實驗室，濕度 40%~70% 無凝露，材料表征、表面改性研發工況

日本Shinkuu 貴金屬導電薄膜磁控離子濺射儀

核心功能特點

1. φ100mm 四英寸大磁控靶材，單次可處理大面積平板、4 英寸晶圓、多片批量試樣，鍍膜效率更高

2. 全自動一體化濺射流程，無需分步手動操作，新手可快速完成標準化鍍膜工藝，減少人為操作偏差

3. 雙回路旁路排氣設計，可分步抽除腔體雜質氣體，穩定氬氣工作壓力，薄膜均勻度穩定可控

4. 低電壓低溫濺射體系，樣品溫升幅度小，高分子、生物、熱敏材料不會發生熱形變、熱分解

5. 透明硬質玻璃腔體，全程可視化觀測濺射狀態，可實時判斷薄膜沉積均勻程度，及時調整工藝

6. 多品類貴金屬靶材通用更換，低倍率、超高倍率電鏡觀測可匹配對應靶材，適配多種表征需求

7. 針閥精密氬氣進氣調節，精準控制腔體內離子濃度，可調控薄膜厚度與顆粒尺寸，適配不同表面改性需求

8. 全回路安全聯鎖機制，腔體未閉合、真空未達標時無法啟動濺射，規避誤操作造成設備損耗

9. 整套工藝參數本地存儲，可直接調取復用成熟鍍膜程序，實驗重復性好，便于材料改性對比研究

10. 分體式真空管路設計，泵體與腔體獨立布置，腔體拆裝清潔便捷，避免不同試樣薄膜交叉污染

適用場景

1. 材料科研實驗室：陶瓷、金屬、高分子、復合材料表面導電薄膜制備，用于 SEM、FIB、EDS 表征前處理

2. 半導體試樣領域：4 英寸晶圓、芯片切片表層導電層沉積，晶圓樣品表面改性預處理

3. 新材料表面改性研究：粉體、塊狀試樣表層金屬薄膜包覆，優化材料導電、抗氧化表面性能

4. 微納加工實驗室：微結構、多孔試樣超薄貴金屬薄膜沉積，改善電子信號采集效果