C-01 提拉法結晶育成裝置基于感應加熱工藝，采用經(jīng)典 Czochralski 單晶生長原理。設備搭載可移動式上法蘭結構，投料、更換坩堝等操作更加便捷；加熱線圈支持位移調(diào)節(jié)，晶體生長全程動態(tài)調(diào)整溫度梯度。配備 CCD 視覺系統(tǒng)，可持續(xù)觀察熔體表面狀態(tài)，便于工藝實時調(diào)整。整套系統(tǒng)由計算機進行生長流程控制，同時支持網(wǎng)絡遠程監(jiān)控操作，自動化程度高。腔體采用石英透明腔室，可視性優(yōu)良，適配激光晶體、氧化物單晶、氟化物單晶等多種功能晶體研發(fā)與小批量試制。

高校、科研院所單晶材料實驗室；激光晶體、光學氧化物單晶試樣研發(fā)；閃爍晶體、壓電晶體提拉工藝開發(fā)；新型功能單晶材料基礎科研；中小尺寸高質(zhì)量單晶試樣制備。