所以，硅鉬棒應盡量避免長時間在低溫段運行，通常建議快速升溫通過低溫階段，在中高溫段（如≥ 1200?℃）正常工作，以發揮其耐高溫、抗氧化的優勢并延長使用壽命。如果加熱元件電極上如有較多的粉化現象時必須清除掉，注意做好防護措施。

硅鉬棒安全升溫曲線（參考）

適用于常規的MoSi? 加熱元件，在空氣氣氛下使用。具體參數需結合爐型與工藝要求進行調整。

但是硅鉬棒也不是絕對禁止在低溫段使用。有些工藝如：氧化物陶瓷排膠和燒結工藝。在樣品燒結前，必須在600℃以下進行排膠，這個過程有時需要相當長的時間，之后會繼續升溫至1400℃以上。加熱元件會修復在低溫段被消耗掉的二氧化硅保護層。由于加熱元件屬于消耗品，不可能無限修復保護層。硅鉬棒總的使用壽命約2000-5000個小時，或100-300個熱循環。

硅碳棒（SiC 加熱元件）和硅鉬棒在低溫段不能長時間使用的原因有相似之處，如：在空氣中高溫時表面會生成致密的 SiO? 保護層，起到隔絕氧化的作用。但機理略有不同，主要原因如下：

使用建議

1. 快速通過低溫段（建議加熱速率 ≥ 5～10?℃/min），避免在200–800?℃長時間保溫。

2. 穩定運行宜在1000?℃以上溫區，充分利用穩定的SiO?保護層。

3. 減少冷啟動次數，必要時可小電流預熱縮短低溫段停留。

硅碳棒加熱元件升溫曲線圖

具體參數需結合爐型與工藝要求進行調整。

硅碳棒還有一個區別于硅鉬棒特有的特征：硅碳棒電阻值會隨著使用年限增加而增加，這個過程稱為老化。如果長期在低溫段使用，老化的過程會更快。其加熱功率會相應地下降，表現為升溫慢或無法達到設定溫度。為確保設備有足夠的加熱功率，可修改控制器參數，提高輸出功率百分比值。卡博萊特使用硅碳棒加熱元件的設備，都預留了足夠的輸出功率。當輸出功率百分比設置為 100% 時，則需要更換一組新的加熱元件。

最后總結：以下是這兩種加熱元件的溫度特性。從圖表中可以看出無論是硅鉬棒（MoSi?）還是硅碳棒（SiC）加熱元件都不適用于低溫段。低溫段的溫度范圍略有不同，為了方便記憶，我們一律建議這兩種加熱元件的最低使用溫度為800?℃以上。工作溫度低于800?℃建議使用鐵鉻鋁加熱絲的設備。