CEL-SPS1000表面光電壓譜儀 （SPV/SPC/SPS）表面光電壓是固體表面的光生伏應，是光致電子躍遷的結果。半導體材料的光生電壓性能的測試分析、可開展光催化等方面的機理研究，應用于太陽能電池、光解水制氫等方面的研究，可用于研究光生電荷的性質，如：光生電荷擴散方向；解析光生電荷屬性等。主要代表材料有TiO2、ZnO、CdS、GaAs、CdTe、CdSe等。

CEL-SPS1000表面光電壓譜儀 （SPV/SPC/SPS）

CEL-SPIP表面光電壓升級QE/IPCE模塊

CEL-SPEC表面光電壓升級光電化學QE/IPCE模塊

CEL-SPS1000表面光電壓譜儀 （SPV/SPC/SPS）

優勢特點

表面光電壓是固體表面的光生伏應，是光致電子躍遷的結果。

1876年，W.GAdam就發現了這一光致電子躍遷現象;

1948年才將這一光生伏應作為光譜檢測技術應用于半導體材料的特征參數和表面特性研究上，這種光譜技術稱為表面電壓技術（Surface Photovoltaic Technique，簡稱SPV）或表面光電壓譜（Surface Photovoltaic Spectroscopy，簡稱SPS）。表面光電壓技術是一種研究半導體特征參數的途徑，這種方法是通過對材料光致表面電壓的改變進行分析來獲得相關信息的。

1970年，表面光伏研究獲得重大突破，美國麻省理工學院Gates教授的研究小組在用低于禁帶寬度能量的光照射CdS表面時，歷史性的*次獲得入射光波長與表面光電壓的譜圖，以此來確定表面態的能級，從而形成了表面光電壓這一新的研究測試手段。

SPV技術是較靈敏的固體表面性質研究的方法之一，其特點是操作簡單、再現性好、不污染樣品，不破壞樣品形貌，因而被廣泛應用于解析光電材料光生電荷行為的研究中。

SPV技術所檢測的信息主要是樣品表層（一般為幾十納米）的性質，因此不受基底或本體的影響，這對光敏表面的性質及界面電子轉移過程的研究顯然很重要。由于表面電壓技術的原理是基于檢測由入射光誘導的表面電荷的變化，其檢測靈敏度很高，而借助場誘導表面光電壓譜技術可以用來測定半導體的導電類型（特別是有機半導體的導電類型）、半導體表面參數，研究納米晶體材料的光電特性，了解半導體光激發電荷分離和電荷轉移過程，實現半導體的譜帶解釋，并為研究符合體系的光敏過程和光致界面電荷轉移過程提供可行性方法。

由于SPV技術的諸多優點，SPV技術得到了廣泛的應用，尤其是今年來隨著激光光源的應用、微弱信號檢測水平的提高和計算機技術的進展，SPV技術應用的范圍得到了很大的擴展。

產品應用
 半導體材料的光生電壓性能的測試分析、可開展光催化等方面的機理研究，應用于太陽能電池、光解水制氫等方面的研究，可用于研究光生電荷的性質，如：光生電荷擴散方向；解析光生電荷屬性等。主要代表材料有TiO₂、ZnO、CdS、GaAs、CdTe、CdSe等。

表面光電壓譜的應用技術參數

Scheme of thesurface photovoltage (SPV) setup applied for the measurements on multilayered sample of CdTe and CdSe NCs. Excitons are created upon light excitation, which diffuse through the structure and may reach andbecome separated at the type II CdTe/CdSe interface. The random diffusionof separated charges creates an electric field measured as the SPV signal U by two transparent outer FTO electrodes in a capacitor arrangement.

規格參數
表面光電壓譜的配置清單
1）光電壓測量：可檢測光伏>100nV；光譜波長范圍：300-1000nm，光譜分辨率2nm；
2）光電流測量：可檢測光電流>100 pA；光譜波長范圍：300-1000nm，光譜分辨率2nm；
3）光伏相位譜：相檢測范圍：-180°至+180°；光譜波長范圍：300-1000nm；
（1）氙燈光源
參數：
技術參數：
1.燈泡電功率：500W氙燈；2.電流調節范圍：15A-25A；3.點光輸出直徑：4-6mm；4.平行光輸出直徑：50mm；5.發射光譜范圍：200nm-2500nm；6.平行光輸出直徑：50-60mm；7.變焦功能：有；（可改變光輸出圓斑大小）
基本配置：1.穩流電源；2.燈箱及光學匯聚系統；3.預裝國產500W氙燈一只；4.使用說明書；
（2）單色儀
技術參數：
1.波長范圍：190-2000nmnm；2.焦距：300mm；3.相對孔徑: f/3.9；4.光學結構:C-T；5.分辨率（nm）：0.1；6.倒線色散(nm/mm): 2.7；
（3）斬波器（賽恩科儀）：

1.20Hz—10kHz斬波頻率；2.多葉片選擇（標配10槽），高精度鎖相環；3.LCD顯示，單編碼器控制；4.USB遠控控制接口；5.帶有外部觸發控制方式；6.TTL/CMOS 電平輸入和輸出。

（4）鎖相放大器（斯坦福）
技術參數：
1.mHz-102.4kHz頻率范圍；2.大于100dB動態存儲；3.5ppm/oC的穩定性；4.0.01度相位分辨率；5.時間常數10us-30ks；6.同步參考源信號；7.GPIB及RS232接口；8.9轉25串口線；
9.USB轉232串口線
（5）控制軟件
數據記載，數據保存，應用于表面光電壓譜的數據反饋
主要配件：
1.光學導軌及滑塊；2.光電壓及光電流池；3.外電場調系統；4.電流-電壓轉換器；5.計算機；