緊湊是其核心優勢，僅需2.5平方英尺占地，臺式設計適配潔凈室等場景。流線型小體積腔室實現快速循環，大幅提升沉積效率，支撐批量樣品處理與高頻實驗。

　　精準參數為高質量鍍膜護航：腔室溫度室溫-325°C（±1°C），前軀體溫度室溫-150°C（±2°C，加熱夾套加持），源瓶加熱可選至200°C；基板加熱器（晶片用）支持室溫-350°C溫控。3套前軀體源與雙型噴頭，拓展了鍍膜材料選擇。

　　核心性能優異：600W 13.56MHz射頻功率穩定，極限壓力≤5.0×10?³乇，搭配干泵/旋片泵構建穩定真空。薄膜沉積均勻度≤±3%，保障涂層一致性。全硬軟件聯鎖設計，確保多用戶環境操作安全。

　　在電鏡樣品制備中價值突出：電鏡樣品需Pt、Pd等導電膜抑制電荷、減少熱損傷，傳統PVD技術無法滿足3D樣品鍍膜需求。該ALD系統專為小樣品導電金屬生長優化，可制3D保形膜與傳統2D膜，替代濺射/蒸鍍技術，且價格與臺式濺射設備相當。

　　系統運維人性化：PC端UPRO軟件實現全控制，維護簡單且兼容主流前體。850mm×720mm×600mm的緊湊尺寸，可支持最大6英寸工件，實現“小身材、大能量”。

　　憑借精準參數、廣泛應用、成本優勢與便捷操作，該ALD系統成為薄膜制備的理想之選，助力ALD技術普及。