隨著新能源、電力電子設(shè)備向高頻化、小型化、高效率升級(jí)，SiC、GaN寬禁帶器件全面替代傳統(tǒng)硅基器件，其納秒級(jí)開關(guān)速度、兆赫茲級(jí)工作頻率、極大的電流變化率，對(duì)電流測(cè)量設(shè)備提出了嚴(yán)苛要求，普通傳感器無法適配，英國PEM高頻羅氏線圈成為行業(yè)適配方案。

寬禁帶器件的核心測(cè)試難點(diǎn)在于高頻瞬態(tài)波形捕捉，器件開關(guān)頻率可達(dá)1MHz~100MHz，開關(guān)上升時(shí)間不足20ns。傳統(tǒng)霍爾傳感器帶寬僅有幾十千赫茲，會(huì)直接丟失高頻細(xì)節(jié)，無法捕捉開關(guān)尖峰、振蕩波形、反向恢復(fù)電流等關(guān)鍵數(shù)據(jù)。而PEM CWT MiniHF系列線圈帶寬高達(dá)50MHz，上升時(shí)間僅12.5ns，可完整還原器件開關(guān)全過程細(xì)節(jié)。

在精度與穩(wěn)定性層面，寬禁帶器件測(cè)試對(duì)測(cè)量誤差容忍度極低，微小的測(cè)量偏差都會(huì)導(dǎo)致?lián)p耗計(jì)算、效率分析、參數(shù)標(biāo)定出現(xiàn)嚴(yán)重誤差。PEM線圈出廠經(jīng)過逐臺(tái)高精度校準(zhǔn)，高頻工況下線性度優(yōu)異，相位誤差極小，能夠精準(zhǔn)測(cè)算開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗，為器件驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)迭代提供精準(zhǔn)數(shù)據(jù)支撐。