在二維材料里,過渡金屬硫族化物(TMDCs)具有較好的電子能帶結構。在半導體二維TMDCs材料的研究中,大多都呈現出n型輸運特性(如MoS2、WS2、MoSe2等)，因此弱p型WSe材料的制備對二維TMDCs電子器件的研究具有意義。制備的二維WSe2為弱p型輸運特性,不同電極材料的構建使其器件呈現出弱p型或雙極性特性,因此二維WSe2的可控p型摻雜無論在基礎研究還是實際應用都有研究意義。

p型磷摻雜二維二硒化鎢半導體材料及其制備方法,屬于半導體材料制備技術領域.該制備方法以Se單質為硒源,以WO和NaCl的混合物為鎢源,以PO為磷摻雜源,采用三溫區的制備方式,在玻璃襯底上制得p型磷摻雜二維二硒化鎢半導體材料;其中,Se單質,PO以及NaCl和WO的混合物分別置于三個溫區.

中文名稱：二硒化鎢

英文名稱：WSe2

外觀：固體/液體

規格：mg

儲存條件：-20℃

濃度：95%+

溶解條件：有機溶劑/水

用途：用于科研，不能用于人體

g-C3N4負載鎢酸鉍納米片

二硒化鎢修飾金納米粒子

二硒化物負載修飾化合物

磷酸銀修飾二硒化鉬

二維氮化碳修飾二硒化鉬

二維硒化鉬修飾硒化鎢

瑞禧WFF.2022.7