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   本儀器采用準動態法（具有技術）和四探針法分別測量樣品的 seebeck 系數和電阻率。不
僅可用于測量半導體塊狀樣品，康銅、鎳、鉍等金屬半金屬樣品，石墨、碳材料等非金屬樣品的
seebeck 系數和電阻率，還可測薄膜（納米）樣品的 seebeck 系數和電阻率。

*優勢
擁有獨立知識產權，獲得多項技術；
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動態法測量 seebeck 系數，避免了傳統靜態測量法在溫差測量方面的系統誤差，測量更準確；
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seebeck 系數和電阻率測量不共用電壓探針，避免出現微型熱電偶斷裂失效的問題；
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采用雙向加熱系統；
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自動斷電保護；
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附有薄膜附件（無需主機，直接使用），可直接測量薄膜材料常溫下的 seebeck 系數和電阻率。

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