當前位置:深圳維爾克斯光電有限公司>>光學鏡片及配件>>光電探測器>> 1L10_CP2,1L5NT_CP1一維位置敏感探測器
| 響應度 | 0.63A/W |
|---|
一維位敏探測器不賣了,請找別的供應商購買
LASER COMPONENTS的一維位敏探測器,其工作原理與一般的光電二極管類似,但與一般光電二極管不同的是,LASERCOMPONENTS一維位置感應探測器具備多個電觸點。這使得光電流在電觸點的分布直接受激光光斑的位置分布的影響。
LASERCOMPONENTS一維位敏探測器的溫度漂移為20ppm/°C,在偏置電壓5-20V下工作,最大工作溫度為70°C且最大存儲溫度為100°C。一般可以通過兩個相對觸點間的電流差可計算位置坐標。PSD位置探測器可以沿一個軸連續檢測激光光斑的位置,擁有三個觸點。
LASERCOMPONENTS一維位敏探測器的位置坐標可通過兩個相對觸點間的電流差計算得出。當總電流經歸一化處理后,位置信號將不受入射激光強度影響。相較于像素化元件(如CCD),一維位置感應PSD的分辨率不受像素尺寸限制,也不需要進行廣泛的計算機分析。而分段式探測器(如差分型/四象限探測器)只能測量光束直徑大小的距離。
LASER COMPONENTS一維PSD能夠沿單一軸向連續檢測激光光斑位置,其結構包含三個電觸點。位置坐標通過以下公式計算。

Y=L/2 x (Y1-Y2/Y1+Y2)

LASER COMPONENTS一維位置感應探測器特點:
- LASERCOMPONENTS一維PSD的位置線性度通常為+/-0.1%
-上升時間小,一般僅幾us
-一維探測器特別適用于在整個有效表面測量大范圍位移。
-激光光斑的形狀、尺寸及強度分布對測量結果影響甚微,其位置坐標由光斑的功率中心決定。
LASER COMPONENTS一維位置感應探測器產品類型:
除了標準一維探測器型號外,還提供以下特殊探測器
-增強UV響應和YAG激光優化型探測器
-NT系列集成雜散光抑制一維位置感應PSD
-ES系列更高光譜靈敏度的位敏探測器PSD
所有LASER COMPONENTS位敏探測器PSD均可配備抗反射鍍膜,制造商將為每款一維探測器提供校準數據報告,其中包含探測器線性度指標。
PSD位置探測器快速參考數據規格表:
-位置非線性:±0.1%
-響應度:0.63A/W
-反向電流(偏置):15V
-溫漂:20ppm/℃
型號 | 有效面積(mm2) | 探測器電阻(kΩ) | 漏電流(nA) | Noise干擾電流(pA/Hz) | 電容(pF) | 上升時間10~90%(us) | 封裝 |
1L2.5_CP1 | 2.5*0.6 | 50 | 2 | 0.4 | 1.6 | 0.03 | 4-pin陶瓷DIL |
1L5_CP1 | 5*1 | 50 | 4 | 0.4 | 5 | 0.05 | |
1L2.5_CP2 | 2.5*0.6 | 50 | 2 | 0.4 | 1.6 | 0.03 | 14-pin陶瓷DIL |
1L5_CP2 | 5*1 | 50 | 4 | 0.4 | 5 | 0.05 | |
1L10_CP2 | 10*2 | 50 | 8 | 0.4 | 15 | 0.2 | |
1L10_SU70 | 10*2 | 50 | 8 | 0.4 | 15 | 0.2 | SMD |
1L20_CP3 | 20*3 | 50 | 50 | 0.5 | 45 | 0.5 | 22-pin陶瓷DIL |
1L30_SU2 | 30*4 | 50 | 150 | 0.5 | 90 | 1.0 | 陶瓷基底 |
1L45_SU69 | 45*3 | 115 | 110 | 0.4 | 105 | 4.2 | |
1L60_SU34 | 60*3 | 150 | 150 | 0.4 | 135 | 4.5 |
增強UV響應的激光優化型一維位敏探測器PSD:
-位置非線性:±0.1%
-響應度:0.63A/W
-反向電流(偏置):15V
-溫漂:20ppm/℃
型號 | 有效面積(mm2) | 探測器電阻(kΩ) | 漏電流(nA) | Noise干擾電流(pA/Hz) | 電容(pF) | 上升時間10~90%(us) | 封裝 |
1L2.5UV_CP2 | 2.5*0.6 | 50 | 2 | 0.4 | 1.6 | 0.03 | 14-pin陶瓷DIL |
1L5UV_CP2 | 5*1 | 50 | 4 | 0.4 | 5 | 0.05 | |
L10UV_CP2 | 10*2 | 50 | 8 | 0.4 | 15 | 0.2 | |
1L20UV_CP3 | 20*3 | 50 | 50 | 0.5 | 45 | 0.5 |
NT系列集成雜散光抑制一維位置感應PSD:
-位置非線性:±0.1%
-響應度:0.63A/W
-反向電流(偏置):15V
-溫漂:20ppm/℃
型號 | 有效面積(mm2) | 探測器電阻(kΩ) | 漏電流(nA) | Noise干擾電流(pA/Hz) | 電容(pF) | 上升時間10~90%(us) | 封裝 |
1L5NT_CP1 | 5*0.25 | 200 | 4 | 0.3 | 5 | 0.25 | 4-pin陶瓷DIL |
1L5NT_CP2 | 5*0.25 | 200 | 4 | 0.3 | 5 | 0.25 | 14-pin陶瓷DIL |
1L10NT_CP2 | 10*0.5 | 200 | 8 | 0.3 | 15 | 0.0007 |
適用于所有LASER COMPONENTS一維位置敏感探測器的通用數據:
- LASERCOMPONENTS一維PSD最大工作溫度:70°C
-最大存儲溫度:100°C
-反向電流(偏置):5~20V
-如1L10_CP2、1L5UV_CP2所示,CP2型號封裝一般為14-pin陶瓷DIL封裝,1L5NT_CP1所示,CP1型號封裝一般為4-pin陶瓷DIL封裝。1L30UV_SU2,1L60_SU34一般為陶瓷基地封裝,1L10_SU70較為特殊為SMD封裝。
以下條件下測量規格中一維位置敏感探測器數據:
-溫度23°C
-熱漂移的測量范圍為23°C至70°C
-位置非線性和熱漂移的測量范圍為探測器長度的80%
-除非另有說明,否則所有數值均為典型值,若想參考有關詳細數據,請參閱各數據表。
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼
以上信息由企業自行提供,信息內容的真實性、準確性和合法性由相關企業負責,化工儀器網對此不承擔任何保證責任。
溫馨提示:為規避購買風險,建議您在購買產品前務必確認供應商資質及產品質量。