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當前位置:九域半導體科技(蘇州)有限公司>>公司動態>>公司參與2025碳化硅襯底與外延產業調研調研書
SiC調研書啟動調研??
九域半導體科技(蘇州)有限公司已參與《2025碳化硅襯底與外延產業調研書》的編寫工作。為半導體事業貢獻力量?。。?/p>
碳化硅(SiC)作為第三代半導體核心材料,憑借耐高溫、耐高壓、高導熱等優異物理特性,已成為新能源汽車、AI服務器、光伏儲能、5G通信等戰略領域的關鍵支撐材料。其熱導率高達490-500W/mK,是硅的3倍、陶瓷基板的2倍,寬禁帶特性使其在2000W高功率場景下仍能穩定工作,成為破解"算力耗電困局。
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