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我們九域半導體公司申請獲得了發明榮譽，摘要顯示，本發明公開了一種基于渦流法探頭的薄晶錠電阻率檢測方法，涉及半導體測量技術領域，解決了在部分情況下待測薄晶錠對應電阻率的測量出現偏差的問題，包括對待測薄晶錠進行電學檢測，分析得到待測薄晶錠的計算表面電阻率；基于待測薄晶錠的計算表面電阻率識別待測薄晶錠的薄晶錠種類，結合趨膚效應計算待測薄晶錠的趨膚深度；設定多組與待測薄晶錠相似的對照薄晶錠，對多組對照薄晶錠進行渦流法測試，基于測試結果計算對照薄晶錠的補償系數；基于補償系數計算擬合方程并寫入上位機，結合擬合方程計算待測薄晶錠的實際電阻率，本發明實現對待測薄晶錠對應電阻率的準確測量，同時還實現待測薄晶錠對應電阻率的自動化與智能化測量
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