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九域半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司

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硅棒晶棒晶錠BCT400少子壽命測試儀

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晶圓方阻測試儀: 少子壽命晶圓電阻率測試儀非接觸方阻測試儀氮化鎵電阻率方阻襯底電阻率方阻玻璃方阻外延電阻率方阻

硅片方阻測試儀: 硅片電阻率測試儀無損方塊電阻測試儀金屬薄膜方阻 PN型測試儀

晶錠方阻測試儀: 晶錠非接觸方阻測試儀

渦流法電阻率測試儀: 渦流法方阻測試儀無損電阻率測試儀碳化硅電阻率方阻氧化鎵電阻率方阻

遷移和少子: 少子壽命測試儀表面光電壓儀JPV\SPV 霍爾遷移率測試儀遷移率少子壽命測試儀

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產(chǎn)品簡介詳細(xì)介紹

是基于渦流傳感器和紅外光致光電導(dǎo)方法直接測量單晶或者多晶硅棒體少子壽命的設(shè)備，具有瞬態(tài)和準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)兩種測量模式。該設(shè)備可探測3mm 深度范圍少子壽命，并能輸出不同載流子注入水平下的少子壽命值，可實(shí)現(xiàn)低電阻率硅單晶少子壽命測量，并能通過軟件端光強(qiáng)偏置實(shí)現(xiàn)單晶缺陷密度計(jì)算

簡單介紹

用途（高頻光電導(dǎo)）

用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量，除需要有一個(gè)測量平面外，對樣塊

體形無嚴(yán)格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體

內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測項(xiàng)目。

2.設(shè)備組成

2.1光脈沖發(fā)生裝置

重復(fù)頻率＞25次/s 脈寬＞60μｓ光脈沖關(guān)斷時(shí)間＜1μｓ

紅外光源波長：1.06～1.09μm（測量硅單晶）脈沖電流：5A～20A

測量系統(tǒng)不需要做表面鈍化就能直接測量單晶和多晶硅（錠或塊）的少子壽命.
是基于渦流傳感器和紅外光致光電導(dǎo)方法直接測量單晶或者多晶硅棒體少子壽命的設(shè)備，具有瞬態(tài)和準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)兩種測量模式。該設(shè)備可探測3mm 深度范圍少子壽命，并能輸出不同載流子注入水平下的少子壽命值，可實(shí)現(xiàn)低電阻率硅單晶少子壽命測量，并能通過軟件端光強(qiáng)偏置實(shí)現(xiàn)單晶缺陷密度計(jì)算。