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少子壽命是半導體中少數載流子的平均生存時間，指非平衡少數載流子濃度減少到初始值的1/e所需的時間。該參數直接反映半導體材料質量和器件性能，在N型半導體中空穴為少子，P型半導體中電子為少子，其濃度主要由本征激發決定。少子壽命受復合機理影響，包括直接復合、間接復合、表面復合和Auger復合等。間接躍遷半導體（如硅、鍺）的壽命由雜質和缺陷決定，直接躍遷半導體（如砷化鎵）壽命普遍較短。通過控制復合中心濃度可調節少子壽命：去除雜質缺陷可延長壽命，摻入金、鉑或電子輻照可縮短壽命。測試方法包括準穩態光電導（QSSPC）和瞬態模式，前者適用于低壽命樣品，后者用于高壽命樣品。少子壽命測試范圍覆蓋100納秒至10毫秒，應用領域涵蓋材料質量評估、器件分析及工藝監控，尤其在太陽能電池生產中用于優化光電轉換效率。碳化硅材料中少子壽命與晶體缺陷濃度相關，通過摻雜可調節其壽命以提升功率器件性能。主要用于光伏、半導體行業，測試硅片、電池片等產品，