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晶錠渦流法電阻率測試儀可以通過渦流測量高精度和分辨率為1毫米的方式來測量晶圓片或晶塊的電阻率。由于距離相關(guān)的內(nèi)部布局矩陣，渦流傳感器有一個非常好的長期穩(wěn)定性因此，每個電阻率圖都是測量表面接地度的幾何圖。電阻率可與少數(shù)負(fù)載流子消耗和光電導(dǎo)率圖同時測量。在進(jìn)行電阻測量時，需要用戶提供樣品的厚度。

晶錠渦流法電阻率測試儀技術(shù)參數(shù)：

步徑≥1mm

邊緣：12mm

電阻率片厚：150-250μm

電阻率范圍

默認(rèn)設(shè)置：0.5-5 Ohm cm

準(zhǔn)確度：<3%

重復(fù)性：<1%(范圍從0.5-3 Ohm cm)

為了研究發(fā)射極擴(kuò)散的均勻性，有可能出現(xiàn)較弱的發(fā)射極的方阻。基礎(chǔ)的電阻率由用戶給出。

方阻測量范圍為0.1-200 Ohm/sq。

以標(biāo)準(zhǔn)樣品量下的準(zhǔn)確度，

0.1-10 Ohm/sq：<3%精度

10-100 Ohm/sq：<3%精度

100-200 Ohm/sq：<3%精度