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ASM Eagle XP8 是半導(dǎo)體先進(jìn)制程專用鍍膜工藝設(shè)備,核心定位面向晶圓多重圖案化精密制程,主打低溫間隔層批量沉積工藝。設(shè)備深度適配邏輯芯片、存儲芯片、先進(jìn)封裝晶圓等高精度制造場景,可在極低溫度環(huán)境下完成均勻、致密、低應(yīng)力介質(zhì)薄膜生長,解決傳統(tǒng)高溫沉積工藝帶來的晶圓翹曲、光刻膠損傷、底層薄膜熱失效等行業(yè)痛點(diǎn),是先進(jìn)納米制程多重曝光、多次疊層工藝中的核心工藝裝備,保障復(fù)雜圖案化結(jié)構(gòu)完整成型、層間對位零偏差。
| 設(shè)備型號 | ASM Eagle XP8 |
| 核心工藝方向 | 低溫間隔層薄膜沉積 |
| 適配工藝場景 | 晶圓多重圖案化、多層疊層光刻制程 |
| 工藝核心優(yōu)勢 | 低溫?zé)o熱損傷、膜層均勻、應(yīng)力極低、對位精準(zhǔn) |
ASM Eagle XP8 最大技術(shù)突破,就是搭載專屬低溫等離子體增強(qiáng)沉積內(nèi)核,無需高溫加熱腔體賦能,依靠高能可控等離子體激發(fā)前驅(qū)體反應(yīng),全程保持低溫工藝環(huán)境,保護(hù)前端已完成的精細(xì)光刻圖案與敏感金屬布線,不會出現(xiàn)熱變形、圖形坍塌、層間偏移問題,大幅提升多重圖案化疊加良率。
設(shè)備搭載全域閉環(huán)膜厚智能控制系統(tǒng),晶圓全域多點(diǎn)實(shí)時監(jiān)測沉積速率,動態(tài)微調(diào)氣體配比與能量輸出,整片晶圓膜厚誤差控制在納米級,間隔層平整度高,為后續(xù)二次、三次多重光刻對位提供超平整基準(zhǔn)面,杜絕臺階偏差引發(fā)的對位失效。
同時內(nèi)置高純腔體真空自持凈化結(jié)構(gòu),沉積過程無微粒污染、無雜質(zhì)摻雜,間隔層薄膜絕緣性、致密性達(dá)標(biāo),隔絕層間串?dāng)_漏電,強(qiáng)化芯片長期運(yùn)行可靠性。整機(jī)兼容多規(guī)格晶圓量產(chǎn)節(jié)拍,產(chǎn)能穩(wěn)定、工藝復(fù)現(xiàn)性強(qiáng),兼顧高精度與量產(chǎn)效率,成為先進(jìn)多重圖案化制程的主力低溫沉積平臺。
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