池田屋精品！坂口核級抗鋸齒熱處理微型設備（微型激光氫退火系統）技術參數

一、產品概述

坂口電熱株式會社（Sakaguchi Electric Heaters Co., Ltd.）推出的核級抗鋸齒熱處理微型設備（微型激光氫退火系統），是一款基于氫氣氣氛退火（AAA技術）對三維硅微結構進行原子級平滑和圓角處理的設備。該技術由東北大學金森義明教授發明，并于2018-2020財年由東北大學、產業技術綜合研究所（AIST）和微型制造推進機構聯合開發實現商業化。型號適用于φ12.5mm晶圓的單片加工，通過快速升降溫（2.5秒內升至1100℃）和穩定的溫度控制（1100℃±0.5℃），可實現MEMS器件的高性能與高可靠性，適用于半導體制造、MEMS器件研發及微納加工等領域。

二、產品規格

項目	規格
適用晶圓尺寸	φ12.5mm（單晶圓加工）
外殼尺寸	寬約 30cm（緊湊型）
使用環境	無需潔凈室
功耗	額定 AC100V 10A（低功耗）
真空度	適用于超高真空（5×10?? Pa 或更低）
升溫性能	2.5秒內升至 1100℃
溫度控制精度	1100℃ ±0.5℃
溫度均勻性	變化率（σ/平均值）0.5%

三、核心技術原理

1. 氫氣氣氛退火（AAA技術）
利用高溫氫氣環境下的硅原子遷移效應，使硅表面發生表面能量最小化轉變，從而消除深反應離子刻蝕（DRIE）工藝中形成的側壁扇貝狀粗糙結構，實現三維結構的原子級平滑和圓角控制。

2. 與K型熱電偶的對比優勢
與K型熱電偶相比，該技術受短程有序化（Short-range ordering）影響較小，在250℃至550℃溫度區間的溫度誤差更小，性能更穩定。

3. 快速升降溫
可在2.5秒內將晶圓加熱至1100℃，并實現快速冷卻，有效縮短工藝周期。

四、核心設計特征

1. 單晶圓加工
采用φ12.5mm晶圓單晶圓加工方式，適用于研發和小批量生產場景。

2. 緊湊型設計
外殼寬度約30cm，占地面積小，便于實驗室和研發場所部署。

3. 無需潔凈室
無需配置潔凈室即可使用，大幅降低設備安裝和運行成本。

4. 低功耗設計
額定功耗僅AC100V 10A，運行成本低。

5. 超高真空兼容
適用于5×10?? Pa或更低的超高真空環境，滿足高純度工藝需求。

6. 的溫度控制

快速升降溫：2.5秒內達到1100℃
高精度控制：1100℃±0.5℃
優異均勻性：溫度分布變化率僅0.5%

五、典型應用場景

應用類型	說明
MEMS器件制造	硅微結構的平滑和圓角處理，提升器件性能與可靠性
硅光波導	減少側壁粗糙度引起的散射損耗
半導體研發	新材料、新工藝的開發與驗證
高校/研究機構	微納加工領域的實驗研究
原型驗證	小批量樣品制備和工藝驗證

六、選型要點

晶圓尺寸：確認是否適配φ12.5mm晶圓加工需求
工藝溫度：確認所需退火溫度是否在1100℃以內
真空要求：確認是否需要超高真空環境（≤5×10?? Pa）
使用環境：確認是否無需潔凈室即可部署
功耗容量：確認現場電源是否滿足AC100V 10A要求
研發階段：適用于實驗室研發和小批量樣品制備

七、注意事項

本產品為科研級設備，適用于研發和小批量生產場景
工藝參數（溫度、時間、氫氣流量等）需根據具體器件結構進行優化
氫氣為可燃氣體，使用前需確保通風和安全措施到位
建議參考東北大學金森實驗室的相關研究文獻

八、總結

坂口核級抗鋸齒熱處理微型設備通過氫氣氣氛退火技術，為MEMS器件和硅微結構的原子級平滑和圓角控制提供了一套緊湊、高效、低功耗的解決方案。其φ12.5mm單晶圓加工、2.5秒升至1100℃的快速升降溫、1100℃±0.5℃的高精度控制及無需潔凈室的特點，適用于MEMS制造、硅光波導研發及高校科研等需要高精度微納加工的領域。

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