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ULVAC SOPHI-400高能離子注入機(jī)：超薄晶圓功率器件制程的理想摻雜平臺(tái)

2026-6-9　　閱讀(259)

摘要

在功率半導(dǎo)體器件向更低導(dǎo)通損耗、更高開(kāi)關(guān)速度與更小模塊尺寸持續(xù)演進(jìn)的過(guò)程中，離子注入技術(shù)的精度與能量上限正成為制約器件性能的關(guān)鍵工藝因素。日本ULVAC（愛(ài)發(fā)科）株式會(huì)社基于數(shù)十年的真空技術(shù)與半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)積累，推出的SOPHI-400高能離子注入機(jī)，以2400keV的極限加速能力、簇式（Cluster Type）緊湊結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與平行離子束（Parallel Beam）注入技術(shù)，精準(zhǔn)響應(yīng)了超薄晶圓加工中高加速離子注入的核心工藝需求。該設(shè)備面向功率器件領(lǐng)域，專為IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）背部場(chǎng)截止層（Field Stop Layer）的高能注入工藝量身打造，在降低驅(qū)動(dòng)電流損耗、提升開(kāi)關(guān)速度的同時(shí)，解決了傳統(tǒng)注入機(jī)在超薄晶圓傳輸與高能束流精度之間的矛盾。本文從技術(shù)背景、產(chǎn)品架構(gòu)與定位、核心技術(shù)參數(shù)、平行束流與高能加速技術(shù)、薄片傳輸工藝保障、譜系對(duì)比、典型應(yīng)用場(chǎng)景及選型邏輯等方面，對(duì)SOPHI-400高能離子注入機(jī)進(jìn)行系統(tǒng)技術(shù)解析。

一、引言

功率器件是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心元件，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、軌道交通、工業(yè)變頻及白色家電等領(lǐng)域。IGBT作為功率半導(dǎo)體的主導(dǎo)器件類型，其性能指標(biāo)——尤其是導(dǎo)通壓降、關(guān)斷損耗與開(kāi)關(guān)速度——直接決定了終端系統(tǒng)的能源轉(zhuǎn)換效率。近年來(lái)，RC-IGBT（Reverse-Conducting IGBT）等集成化設(shè)計(jì)趨勢(shì)要求將IGBT與二極管整合于同一芯片之中，這催生了對(duì)背面場(chǎng)截止層進(jìn)行高能離子注入的迫切需求——加速電壓需達(dá)到2MeV（2000keV）甚至更高，以實(shí)現(xiàn)足夠深度的摻雜層而不損傷超薄晶圓的正反面結(jié)構(gòu)。

傳統(tǒng)高能注入工藝長(zhǎng)期面臨兩大制約：一是常規(guī)中電流注入機(jī)在低加速、高濃度區(qū)間的產(chǎn)能效率低下；二是超薄晶圓在多片旋轉(zhuǎn)盤(pán)（Rotating Disk）傳輸方式中極易發(fā)生碎片失效。ULVAC于2017年正式面向市場(chǎng)推出的SOPHI-400，正是為突破這些瓶頸而設(shè)計(jì)的解決方案。該設(shè)備以“高加速、薄片兼容、低成本化"為三大設(shè)計(jì)支柱，旨在為功率器件制造商提供一條兼具高精度與高產(chǎn)能的產(chǎn)業(yè)化路徑。

二、產(chǎn)品定位與SOPHI系列架構(gòu)

2.1 產(chǎn)品定位

SOPHI-400定位于高加速、單晶圓處理的功率器件專用型離子注入系統(tǒng)，晶圓處理尺寸覆蓋Φ125mm至Φ200mm（5英寸至8英寸），最大支持200mm晶圓的全流程注入。該設(shè)備專為IGBT的場(chǎng)截止層背部高能注入設(shè)計(jì)，尤其適用于超薄晶圓（Ultra-thin Wafer，厚度通常小于100μm）的背側(cè)注入工藝。

ULVAC將SOPHI-400定義為“高加速離子注入機(jī)（High-acceleration Ion Implanter）"，其最高加速電壓可達(dá)2.4MeV，對(duì)應(yīng)單電荷離子加速至400kV、多電荷離子獲得更高等效注入能量。這一能量區(qū)間恰好覆蓋了IGBT場(chǎng)截止層摻雜所需的深度范圍（通常在數(shù)微米至十?dāng)?shù)微米級(jí)），使SOPHI-400成為IGBT背側(cè)工藝中的關(guān)鍵設(shè)備之一。

2.2 SOPHI系列整體架構(gòu)

ULVAC的SOPHI系列離子注入系統(tǒng)面向功率器件制造，以“平行束流、高精度、低擁有成本"為共同特征，形成了針對(duì)不同工藝區(qū)間（高能量/低能量）的完整設(shè)備矩陣：

型號(hào)	類型	能量規(guī)格	束流特征	產(chǎn)能特征	定位與典型應(yīng)用
SOPHI-400	高能	2400keV（2.4MeV）	平行束、中電流	枚葉式	IGBT場(chǎng)截止層高能注入、功率器件背側(cè)摻雜
SOPHI-30	低能高濃	低加速（<20keV區(qū)間）	高濃度、無(wú)質(zhì)量分離器	處理時(shí)間縮短至1/60	RC-IGBT背側(cè)P型區(qū)低能反型注入
SOPHI-200/260	中電流	600keV / 780keV	平行束、量產(chǎn)型	緊湊輕量、低成本	通用功率器件摻雜、研發(fā)生產(chǎn)

在SOPHI家族中，SOPHI-400與SOPHI-30形成了能量覆蓋上的互補(bǔ)格局——高能端由SOPHI-400覆蓋，低能高濃度區(qū)間由SOPHI-30填補(bǔ)。這一架構(gòu)使得功率器件制造商可以在同一平臺(tái)的設(shè)備系列中完成從前端輕摻雜（阱區(qū)形成）到后端深摻雜（場(chǎng)截止層）的全流程離子注入。

2.3 SOPHI-400在ULVAC產(chǎn)品矩陣中的位置

ULVAC近年來(lái)持續(xù)深耕SiC功率器件及先進(jìn)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，SOPHI-400與IMX-3500研究開(kāi)發(fā)用中電流注入機(jī)、IH-860DSIC SiC用高溫注入機(jī)等設(shè)備共同構(gòu)成了ULVAC在寬禁帶半導(dǎo)體及硅基功率器件領(lǐng)域的設(shè)備矩陣。在聚焦成本效益的產(chǎn)業(yè)化設(shè)備層面，SOPHI-400以其高能量上限及薄晶圓兼容性獲得了的市場(chǎng)定位優(yōu)勢(shì)——在日本之外的地區(qū)，SOPHI系列占據(jù)著功率器件及IGBT市場(chǎng)的份額。

三、核心技術(shù)參數(shù)

3.1 能量與加速能力

SOPHI-400最核心的技術(shù)指標(biāo)體現(xiàn)于其加速能力。該設(shè)備最大加速能量可達(dá)2400keV（2.4MeV）。這一指標(biāo)意味著SOPHI-400不僅能夠完成常規(guī)的淺結(jié)注入，更可滿足功率器件所需的大深度摻雜工藝：

在單電荷（Single Charge）模式下，離子加速至400kV；
在多電荷模式下，通過(guò)雙電荷或三電荷離子的靜電加速，等效注入能量可進(jìn)一步提升至800keV（雙電荷）乃至1.2MeV（三電荷）。

2.4MeV的能量上限使其在IGBT場(chǎng)截止層的注入深度控制上具有顯著優(yōu)勢(shì)——在實(shí)現(xiàn)大深度摻雜的同時(shí)保持了較好的摻雜層陡峭度，避免了過(guò)度擴(kuò)散對(duì)器件性能的影響。

3.2 晶圓處理規(guī)格

基板尺寸：Φ125mm～Φ200mm（5英寸～8英寸），最大200mm。這一規(guī)格覆蓋了當(dāng)前功率器件制造的主流晶圓尺寸。

束流電流：最大束流電流1300eμA。在中等能量范圍內(nèi)，SOPHI-400能夠提供足夠高的束流密度以保證合理的單片處理時(shí)間，兼顧產(chǎn)能與注入均勻性。

種類：支持的主要摻雜元素為磷（P）和氫（H）。磷是功率器件N型摻雜的標(biāo)準(zhǔn)選擇之一，適用于形成N型場(chǎng)截止層；氫注入則在功率器件的某些特殊結(jié)構(gòu)（如電場(chǎng)終止、鈍化層界面調(diào)控）中具有特定應(yīng)用價(jià)值。

3.3 薄片傳輸與兼容性

SOPHI-400的一項(xiàng)關(guān)鍵工藝能力體現(xiàn)在其對(duì)超薄晶圓的直接傳輸能力——通過(guò)單片直接傳輸（Direct Transfer）及彎片適配技術(shù)，有效避免了多片旋轉(zhuǎn)盤(pán)工藝中晶圓受離心力導(dǎo)致碎裂的風(fēng)險(xiǎn)。設(shè)備兼容彎片基板與定向缺口（Orientation Flat）的高精度對(duì)準(zhǔn)。

3.4 機(jī)械與占地面積

緊湊輕量：ULVAC在設(shè)計(jì)中保留了平行掃描功能并降低了不必要的過(guò)規(guī)格配置，在保證關(guān)鍵性能的前提下控制了設(shè)備的成本與占地面積；
枚葉式設(shè)計(jì)：?jiǎn)尉A處理，有效解決了超薄晶圓在多片旋轉(zhuǎn)盤(pán)工藝中因接觸和振動(dòng)引起的碎片問(wèn)題；
并行掃描能力：在較低成本條件下實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量的束流掃描均勻性，使設(shè)備在產(chǎn)能與精度的平衡上取得了工程化的折中。

3.5 能量范圍與選配擴(kuò)展

SOPHI-400的標(biāo)準(zhǔn)能量配置覆蓋了高能注入需求，同時(shí)提供選配的低能量注入能力（從5kV起），使設(shè)備在面對(duì)研發(fā)階段及特定淺摻雜工藝時(shí)同樣具備良好的工藝適配性。該能量選配擴(kuò)展方案的引入，使SOPHI-400理論上具備從前端結(jié)構(gòu)阱區(qū)注入（低能）到后端場(chǎng)截止層注入（高能）的工藝貫通能力。

四、平行束流與高能加速技術(shù)

4.1 平行束離子注入技術(shù)原理

SOPHI-400所搭載的平行離子束（Parallel Beam）技術(shù)是其實(shí)現(xiàn)高精度摻雜的核心基石。平行束是指在離子束傳輸和終端掃描系統(tǒng)中，束流軸與晶圓表面法向之間的入射角度偏差被嚴(yán)格控制在極小范圍（通常為微弧度級(jí)），各離子以幾乎相同的入射角轟擊晶圓表面。

平行束注入的技術(shù)價(jià)值體現(xiàn)在以下兩個(gè)方面：

消除陰影效應(yīng)（Shadowing Effect）：在晶圓表面存在掩蔽層圖案或三維結(jié)構(gòu)時(shí)，非平行的離子束會(huì)在圖案邊緣產(chǎn)生非預(yù)期的陰影區(qū)，導(dǎo)致?lián)诫s分布沿橫向出現(xiàn)不對(duì)稱偏差。平行束有效抑制了這一效應(yīng)，維持了掩膜窗口內(nèi)部的摻雜均勻性。
劑量精確性與穿透深度一致性：離子入射角度的微量差異會(huì)造成穿透深度沿晶圓徑向的變化，在淺結(jié)和超淺結(jié)工藝中這一變化的影響尤為顯著。SOPHI-400的平行束設(shè)計(jì)確保了束流與晶圓表面法向的一致性，從根本上規(guī)避了角度變化導(dǎo)致的穿透深度分布不均。

SOPHI-400通過(guò)優(yōu)化束流光路設(shè)計(jì)，在200mm晶圓的全尺寸范圍內(nèi)保證了束流的準(zhǔn)直性，在能量和金屬污染控制方面表現(xiàn)優(yōu)異。

4.2 高能注入對(duì)功率器件的特殊價(jià)值

IGBT的場(chǎng)截止層（Field Stop Layer）位于器件N型漂移區(qū)與P型集電極區(qū)之間，其功能是在器件關(guān)斷時(shí)迅速耗散少數(shù)載流子以縮短拖尾電流時(shí)間。場(chǎng)截止層的形成需要在漂移區(qū)底部的特定深度形成較陡的摻雜濃度梯度。高能離子注入是實(shí)現(xiàn)這一設(shè)計(jì)的可行路徑——擴(kuò)散工藝的熱預(yù)算過(guò)大且難以精確控制深度，低能注入則無(wú)法達(dá)到所需的穿透深度。

SOPHI-400提供的2.4MeV高能加速能力直接對(duì)應(yīng)了這一特殊工藝需求。以2MeV加速的磷離子為例，其在硅中的投影射程（Projected Range，Rp）可達(dá)數(shù)微米量級(jí)，且橫向擴(kuò)散極小，滿足了場(chǎng)截止層對(duì)摻雜層厚度與陡峭性的雙重約束。通過(guò)高能注入形成的場(chǎng)截止層可大幅降低IGBT器件的驅(qū)動(dòng)電流損耗，提升開(kāi)關(guān)速度，從而降低模塊的熱耗散并縮小封裝尺寸。

4.3 高能注入面臨的雜散污染控制挑戰(zhàn)

高能離子注入機(jī)的實(shí)施難點(diǎn)不僅在于獲得高加速電壓本身，更在于在超高電壓條件下對(duì)束流的純度控制和雜質(zhì)控制。SOPHI-400在以下關(guān)鍵環(huán)節(jié)建立了污染防控體系：

元素污染抑制：高能注入過(guò)程中，離子束路線沿途可能與束線管壁發(fā)生濺射產(chǎn)生金屬雜質(zhì)。SOPHI-400通過(guò)優(yōu)化高真空度及束線材料選型，將金屬污染水平控制在功率器件可接受的閾值范圍內(nèi)。對(duì)于能量和金屬污染的控制能力是SOPHI系列的核心特征之一。
能量污染抑制：多電荷離子的存在可能在高能模式下引入非預(yù)期的能量組分，導(dǎo)致?lián)诫s深度分布中出現(xiàn)多個(gè)峰。SOPHI-400通過(guò)精密的質(zhì)量分析磁鐵設(shè)計(jì)，有效分離目標(biāo)離子與干擾離子，確保注入能量的單一性與純正性。
角度污染抑制：高能光路長(zhǎng)度較大時(shí)，靜電場(chǎng)及殘余磁場(chǎng)對(duì)離子軌跡的偏轉(zhuǎn)效應(yīng)會(huì)累積。平行束設(shè)計(jì)從源頭控制了角度漂移的幅度。

五、超薄晶圓傳輸工藝保障

5.1 薄片注入的難度背景

超薄晶圓（通常指厚度小于100μm的晶圓）在離子注入過(guò)程中的處理難度遠(yuǎn)高于常規(guī)厚度晶圓。在傳統(tǒng)批量式離子注入機(jī)中，數(shù)片甚至數(shù)十片晶圓被安裝在旋轉(zhuǎn)盤(pán)上，在離心力作用下完成注入。對(duì)于超薄晶圓，旋轉(zhuǎn)盤(pán)方式導(dǎo)致的彎曲應(yīng)力可能引起碎片，而且單片間接觸摩擦容易產(chǎn)生劃痕和顆粒污染。

5.2 SOPHI-400的單片直接傳輸技術(shù)

SOPHI-400采用單片枚葉式（Single Wafer）處理模式，從根本上規(guī)避了多片旋轉(zhuǎn)盤(pán)工藝中存在的機(jī)械應(yīng)力問(wèn)題。其單片傳輸方案具有以下工程特征：

直接傳輸（Direct Transfer）：晶圓在真空環(huán)境下由機(jī)械手臂從裝載端口傳遞至注入腔室，傳輸路徑中不存在可能引起彎折和接觸摩擦的冗余環(huán)節(jié)；
彎片基板兼容（Warped Substrate Compatibility）：功率器件晶圓在背部減薄和金屬化處理后可能出現(xiàn)一定程度的翹曲變形，SOPHI-400的真空傳輸系統(tǒng)能夠穩(wěn)定處理具有輕微翹曲的晶圓，保障全工藝流程中不發(fā)生掉片或碎片；
定向缺口高精度對(duì)準(zhǔn)：注入前的光學(xué)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)定向缺口的高分辨率識(shí)別與調(diào)節(jié)，確保注入?yún)^(qū)相對(duì)于器件圖案的位置精度，對(duì)準(zhǔn)精度直接影響背側(cè)注入與正面圖案之間的套刻容差。

5.3 薄片注入與高能注入的耦合設(shè)計(jì)

SOPHI-400實(shí)現(xiàn)了薄片兼容性與高能注入能力在同一平臺(tái)上的集成。常規(guī)高能注入機(jī)需要較長(zhǎng)的束線長(zhǎng)度以實(shí)現(xiàn)高加速，可能加劇薄片傳輸?shù)牟环€(wěn)定性；而SOPHI-400通過(guò)緊湊的簇式布局設(shè)計(jì)，在獲得2.4MeV極限能量的同時(shí)保持了真空腔室內(nèi)部的傳輸路徑短距離，降低了薄片在真空環(huán)境中的待機(jī)時(shí)間與碰撞概率。簇式結(jié)構(gòu)使晶圓能夠在不同腔室之間高效流轉(zhuǎn)，為功率器件制造中貫穿多道工序的量產(chǎn)流程提供了可行的硬件基礎(chǔ)。

六、SOPHI系列譜系對(duì)比與選型邏輯

6.1 SOPHI系列整體參數(shù)對(duì)比

為幫助用戶在SOPHI系列中做出合理選型，以下匯總了三類核心型號(hào)的關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)：

技術(shù)參數(shù)	SOPHI-400	SOPHI-200	SOPHI-260	SOPHI-30
設(shè)備類型	高能離子注入機(jī)（High-acceleration）	中電流離子注入機(jī)	中電流離子注入機(jī)	低加速高濃度注入機(jī)
最大能量	2400keV（2.4MeV）	600keV	780keV	低加速（<20keV區(qū)間）
等效加速電壓	400kV（單電荷）/800kV（雙）/1.2MV（三）	200kV（單）	260kV（單）	—
最大束流電流	1300eμA	2500eμA	2500eμA	高濃度注入（高劑量）
晶圓尺寸	Φ125～200mm	Φ100～200mm	Φ100～200mm	薄片兼容（詳細(xì)信息依具體配置而定）
束流特征	平行束	平行束	平行束	無(wú)質(zhì)量分離器，高濃度注入
主要摻雜元素	P, H	B, P, As, Si, Ge, Sb, In	B, P, As, Si, Ge, Sb, In	—
核心應(yīng)用	IGBT場(chǎng)截止層、功率器件背側(cè)注入	通用功率器件摻雜、阱區(qū)形成	通用功率器件摻雜、阱區(qū)形成	RC-IGBT背側(cè)P型區(qū)反型注入（2E15 cm?2劑量水平）

6.2 選型參考建議

選型考量	推薦型號(hào)	說(shuō)明
需要2MeV以上的高能注入用于深結(jié)或場(chǎng)截止層	SOPHI-400	2.4MeV上限覆蓋IGBT背側(cè)場(chǎng)截止層所需的能量深度
僅需中低能且對(duì)產(chǎn)能/成本有高要求	SOPHI-200 / SOPHI-260	完備的種類（B/P/As/Si/Ge/Sb/In）和較高的束流強(qiáng)度滿足量產(chǎn)需求
需低加速高濃度的背側(cè)反型注入工藝	SOPHI-30	處理時(shí)間大幅縮短（約1/60），適用于2E15 cm?2等高劑量注入

七、典型應(yīng)用場(chǎng)景

7.1 IGBT場(chǎng)截止層高能注入

SOPHI-400的核心應(yīng)用場(chǎng)景集中于IGBT背部場(chǎng)截止層的磷（P）高能注入。在該工藝中，晶圓經(jīng)過(guò)背側(cè)減薄后，利用SOPHI-400在2MeV左右的能量水平向漂移區(qū)底部植入磷離子，形成摻雜濃度梯度較陡的場(chǎng)截止層。SOPHI-400的薄片直接傳輸能力確保了薄片在這一高能量注入環(huán)節(jié)中的物理完整性，而平行束技術(shù)則保障了注入角度在全晶圓徑向范圍內(nèi)的一致性。使用SOPHI-400形成的高質(zhì)量場(chǎng)截止層可在器件關(guān)斷時(shí)有效縮短拖尾電流時(shí)間，同時(shí)降低導(dǎo)通壓降（VCE(sat)），實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電流損耗與開(kāi)關(guān)速度的雙重優(yōu)化。

7.2 超薄晶圓背側(cè)注入的全流程處理

SOPHI-400系列是RC-IGBT等集成化功率器件制造中所采用的背側(cè)高能注入設(shè)備方案。對(duì)于已將IGBT和續(xù)流二極管整合于同一芯片的結(jié)構(gòu)而言，需在超薄硅片背側(cè)同時(shí)對(duì)不同區(qū)域進(jìn)行N型（場(chǎng)截止層）和P型（集電區(qū)）注入，前者需要高能量注入。SOPHI-400憑借單片枚葉式結(jié)構(gòu)，配合高能量平行束進(jìn)行高質(zhì)量的場(chǎng)截止層注入，再輔以低能高濃注入設(shè)備（SOPHI-30）完成P型區(qū)的反型摻雜，形成完整的背側(cè)摻雜工藝鏈。

7.3 功率VDMOS與超結(jié)（Super Junction）器件

高能離子注入同樣在功率VDMOS和超結(jié)功率器件中扮演重要角色。在電荷平衡超結(jié)結(jié)構(gòu)中，深層的P型和N型柱狀區(qū)域通常通過(guò)多層外延再配合高能量注入實(shí)現(xiàn)。SOPHI-400的多電荷加速模式（可達(dá)1.2MeV等效注入能量）能夠在深至數(shù)微米乃至十?dāng)?shù)微米的位置形成符合設(shè)計(jì)目標(biāo)的摻雜濃度分布。

7.4 VCSEL、MEMS與SOI/LNOI光電應(yīng)用

SOPHI-400的適用領(lǐng)域不僅限于功率器件。在VCSEL（垂直腔面發(fā)射激光器）的生產(chǎn)過(guò)程中，精確的光電器件摻雜濃度控制對(duì)發(fā)光效率和閾值電流有直接影響，SOPHI-400所提供的平行束高精度注入是該類結(jié)構(gòu)摻雜工藝的理想選擇之一。SOI（絕緣體上硅）和LNOI（鈮酸鋰）基光電集成材料的器件隔離阱區(qū)及調(diào)制器區(qū)域高阻化摻雜同樣可從SOPHI-400高加速注入能力中受益。

在MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）制造中，深阱形成或結(jié)構(gòu)和支撐柱的導(dǎo)電性調(diào)整也經(jīng)常用到高能量注入。SOPHI-400的高能量覆蓋范圍和薄片兼容性使其能夠適應(yīng)這些多樣化的應(yīng)用場(chǎng)景。

八、結(jié)語(yǔ)

ULVAC SOPHI-400高能離子注入機(jī)以2400keV的高能注入上限、簇式緊湊結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與平行束流精準(zhǔn)控制三大技術(shù)支柱，在功率器件制造領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了高能量與薄片工藝的有機(jī)結(jié)合。其單片枚葉式傳輸方案有效解決了超薄晶圓在多片旋轉(zhuǎn)盤(pán)工藝中的碎片瓶頸，而平行束注入則保證了在200mm全晶圓范圍內(nèi)摻雜角度與深度的空間一致性。

從IGBT場(chǎng)截止層的磷高能注入，到RC-IGBT背面結(jié)構(gòu)的制程，再到VCSEL、MEMS等光電和微機(jī)電領(lǐng)域，SOPHI-400支撐著功率器件在高電壓、大電流工況下降低驅(qū)動(dòng)損耗和提升開(kāi)關(guān)頻率的性能目標(biāo)。在電動(dòng)汽車、軌道交通及可再生能能源逆變器等終端市場(chǎng)對(duì)功率器件要求日趨嚴(yán)苛的產(chǎn)業(yè)背景下，高能注入工藝正在成為IGBT和SiC等功率半導(dǎo)體爭(zhēng)奪更低損耗、更高功率密度賽道的核心工藝節(jié)點(diǎn)。SOPHI-400及其SOPHI系列設(shè)備將持續(xù)為業(yè)界提供從研發(fā)驗(yàn)證到規(guī)模化生產(chǎn)的離子注入解決方案，助力功率器件從材料優(yōu)化到結(jié)構(gòu)創(chuàng)新的全流程性能演進(jìn)。

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