無油干式結(jié)構(gòu):無油污染,真空潔凈度高,滿足半導(dǎo)體 SEMI?S2、CE、NRTL 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
耐腐蝕能力強(qiáng):標(biāo)配 / 可選 Ni?Resist 耐蝕材質(zhì),適配 HCl、HI、氟化物、氯氣等強(qiáng)腐蝕氣體,適配碳化硅 SiC、化合物半導(dǎo)體工藝
節(jié)能穩(wěn)定:專屬轉(zhuǎn)子設(shè)計 + 怠速休眠模式,同級別節(jié)能 30%+,50/60Hz 頻率下抽氣性能一致
低振動低噪音:無接觸式轉(zhuǎn)子,振動小、噪音低,適配精密實(shí)驗室、產(chǎn)線
全系列覆蓋:從小型風(fēng)冷泵到大型水冷螺桿泵,抽速 50~80000L/min 全覆蓋
代表型號:EV?SA20
特點(diǎn):風(fēng)冷無需水冷、無接觸免維護(hù)、高水汽耐受、超小型、低能耗、內(nèi)置智能控制器
抽速:200~2000L/min
應(yīng)用:Load?Lock、PVD、SEM、分析儀器(LC?MS/GC?MS)、實(shí)驗室、小型半導(dǎo)體設(shè)備
代表型號:ESR20N、ESR30N、ESR500W
特點(diǎn):小型占地、低功耗、可選耐蝕材質(zhì)、適配輕負(fù)載~中腐蝕工藝
抽速:500~5000L/min
應(yīng)用:Load?Lock、離子注入、輕腐蝕刻蝕、半導(dǎo)體輔助真空、科研設(shè)備
特點(diǎn):寬溫域控制、模塊化設(shè)計、長維護(hù)周期、抗腐蝕、適配多工藝通用、TCoO 使用成本低
應(yīng)用:半導(dǎo)體刻蝕、CVD、灰化、離子注入、外延工藝、SiC 碳化硅產(chǎn)線
代表型號:EV?M20N、M102N、M202N、M302N、M502N
抽速:1800~50000L/min
特點(diǎn):極限真空≤5Pa,強(qiáng)耐氟 / 氯腐蝕,水冷穩(wěn)定
應(yīng)用:刻蝕、CVD、薄膜沉積、半導(dǎo)體核心制程
代表型號:ESA15?D、ESA25?D、ESA70W、ESA300W、ESA700W
抽速:1400~80000L/min
特點(diǎn):大抽速、快速抽空、適配氫氣 / 輕氣體、有機(jī)溶劑排氣、低振動
應(yīng)用:MOCVD、大型 Load?Lock、LCD 濺射、光伏、真空干燥、外延設(shè)備
轉(zhuǎn)子類型:羅茨式(中小抽速)、螺桿式(大抽速),無接觸無磨損
耐蝕材質(zhì):Ni?Resist 鎳基耐蝕鑄鐵、特殊涂層,適配氯化氫、碘化氫、碘蒸氣等 SiC / 第三代半導(dǎo)體強(qiáng)腐蝕氣體
冷卻方式:風(fēng)冷(小型)、水冷(中大型)
極限真空:0.5~5Pa,滿足半導(dǎo)體超高潔凈真空要求
半導(dǎo)體(核心):刻蝕、CVD/PVD、離子注入、外延、退火、Load?Lock、SiC 碳化硅、化合物半導(dǎo)體
新能源光伏:MOCVD、薄膜沉積、真空鍍膜
化工精密制造:腐蝕性氣體抽取、真空干燥、溶劑回收
科研 / 分析:電子顯微鏡、質(zhì)譜儀、真空鍍膜、空間模擬
荏原:日系穩(wěn)定、耐腐蝕性更強(qiáng)、適配 SiC / 腐蝕工藝更優(yōu)、維護(hù)周期更長
愛德華 / 萊寶:歐美主流,通用性強(qiáng),但腐蝕工況荏原適配性更好
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