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| 參考價 | ¥1888-¥99999 | /件 |
參考價:¥1888 ~ ¥99999
更新時間:2026-06-22 14:28:31瀏覽次數:10評價
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| 價格區間 | 10萬-30萬 | 應用領域 | 化工,能源,電子/電池,電氣,綜合 |
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Toyo Tanso東洋炭素 高純度等靜壓石墨
Toyo Tanso東洋炭素 高純度等靜壓石墨
梯度高純體系,杜絕晶體 / 晶圓污染
標準款灰分<100ppm;高純 TTK-87 灰分<50ppm;酸洗提純可做到<10ppm,Fe、Ni、Cu、B 等有害雜質嚴格管控,適配硅單晶、藍寶石、化合物半導體潔凈長晶環境。
均衡超細晶粒,兼顧高溫結構與精密加工
晶粒 4~10μm 區間分級,高密度低孔隙,高溫下氣體滲透率低,熱場內部不易積硅、積揮發物;同時可做鏡面 EDM 電極,微小筋條不易崩角。
高導熱、低熱膨脹、抗熱震
熱導率 80~120W/m?K,熱膨脹系數僅 5.6×10??/K,快速升降溫不開裂;真空 / 惰性氣氛最高 2800℃長期穩定使用。
超大規格原廠毛坯,適配大型熱場構件
最大坯料 305×610×1050mm,可直接加工大尺寸單晶爐加熱器、保溫筒、藍寶石坩堝、多晶鑄錠熱屏,減少拼接、提升溫場均勻性。
優異高溫力學性能,長壽命耐蠕變
抗折 45~73MPa,高溫下強度不降,承重發熱體、石墨舟、螺紋緊固件長期循環不易變形斷裂。
各向同性三維性能統一
X/Y/Z 導電、導熱、熱脹無差異,長晶爐溫場無局部溫差,硅片、藍寶石晶體良率穩定。
關鍵參數:晶粒 4μm,密度 1.78g/cm3,肖氏 72HSD,電阻率 14.0μΩ?m,抗折 73MPa,熱導率 86W/m?K
定位:精密 EDM 電極、中小型單晶輔件、實驗室長晶爐
應用:
EDM:精密塑膠 / 壓鑄模具、手機外觀鏡面電極、微型型腔精加工;
光伏:小型實驗 CZ 單晶爐導流筒、籽晶夾、保溫小件;
半導體:小型擴散爐石墨載具、貴金屬熔煉坩堝;
藍寶石:小尺寸實驗長晶保溫襯套。
關鍵參數:晶粒 7μm,密度 1.86g/cm3,肖氏 80HSD,抗折 73MPa,抗壓 172MPa
定位:重載高溫結構件、多晶硅鑄錠爐量產熱場
應用:
光伏多晶:鑄錠爐石墨坩堝、側保溫板、底部承載臺、發熱帶支撐;
真空熱處理:硬質合金、陶瓷燒結重載托盤、加熱支架;
冶金:連續熔煉石墨模具、高溫螺紋緊固件。
關鍵參數:晶粒 8μm,密度 1.78g/cm3,肖氏 65HSD,電阻率 12.5μΩ?m,抗折 50MPa,熱導率 92W/m?K,灰分<100ppm
定位:量產單晶、藍寶石長晶標準基材,行業用量最大 TTK 牌號
應用:
光伏直拉硅 CZ 爐:加熱器、熱屏、導流筒、坩堝托(中小尺寸硅片量產線);
藍寶石長晶爐:單晶坩堝、保溫筒、發熱體、上中下保溫組件;
PVD/CVD 鍍膜腔體、真空釬焊工裝、粉末冶金燒結治具。
關鍵參數:基于 TTK-8 提純,灰分<50ppm,微量元素 Fe/Ni/Cu 大幅降低,低真空放氣
定位:高潔凈度長晶、第三代半導體、精密鍍膜設備
應用:
SiC 碳化硅長晶爐、GaN 外延 MOCVD 石墨舟、III-V 族化合物半導體燒結;
藍寶石光學級晶體生長(減少晶體氣泡、雜質缺陷);
半導體擴散爐、離子注入石墨載片臺。
關鍵參數:高密度強化配方,熱導率 110~120W/m?K,低電阻率,導電發熱效率高
定位:大功率長晶爐加熱器、快速熱處理 RTP 設備
應用:大尺寸 210mm 硅單晶爐主加熱器、藍寶石大噸位長晶發熱帶、連續式真空熱處理加熱元件。
TTK-50:密度 1.80g/cm3,性價比基礎高純料;
TTK-55:密度 1.80g/cm3,晶粒 9μm,大坯料大型爐體結構件
定位:低成本大型隔熱輔件、光伏輔助石墨件、工業爐保溫襯板
應用:單晶爐外層保溫筒、大型真空爐隔熱板、光伏石墨舟托架、通用熱處理工裝。
多晶硅鑄錠量產全套熱場 → TTK-5 / TTK-5C
中小尺寸 CZ 直拉硅主線加熱器、導流筒(通用量產)→ TTK-8
210 大尺寸大功率單晶爐發熱體 → TTK-9
低氧少子壽命單晶產線 → TTK-87
小型實驗單晶爐、電極兩用件 → TTK-4
外層保溫、低成本輔件 → TTK-50/55
量產標準藍寶石長晶全套熱場(坩堝、保溫、發熱體)→ TTK-8
光學級低缺陷藍寶石、高純生長工況 → TTK-87
大噸位大功率長晶爐加熱元件 → TTK-9
實驗室小型藍寶石爐、精密加工小件 → TTK-4
普通擴散爐、真空燒結工裝 → TTK-8
SiC/GaN 長晶、MOCVD 外延、離子注入 → TTK-87
小型精密石墨舟、實驗腔體小件、EDM 電極 → TTK-4
PVD/CVD 鍍膜腔體隔熱、承載結構 → TTK-8/TTK-87