一、產品定位與工藝區分

核心工藝特點

1. 成型方式：單向模壓（存在輕微各向異性，適合薄小件、小型工件，不推薦超大尺寸、長尺寸承重熱場）；

2. 原料：6~8μm 細顆粒，多次浸漬提升密度與強度；

3. 定位：替代普通國產石墨、降低小型電極 / 小件成本，性能優于普通擠壓石墨，價格遠低于等靜壓 ISO/ISEM。

HPG 全系通用核心優勢

1. 切削阻力極低，加工效率高

   石墨質地細膩軟質，銑、磨、鉆、線切割速度快，加工無毛刺，微小電極、0.1mm 薄筋不易崩損，CNC 加工工時大幅縮短。

2. 細顆粒放電紋路細膩，中小型模具夠用

   6~8μm 均勻晶粒，中精加工火花紋均勻，小型連接器、塑膠外殼、壓鑄小件鏡面效果達標，滿足批量量產模具需求。

3. 高密度高強度，小件不易斷裂

   密度 1.77~1.86g/cm3，抗折 73~96MPa，微型細長電極、小型燒結治具冷熱循環不易開裂、掉角。

4. 成本優勢突出，現貨小料規格齊全

   毛坯多為小板、小方料，無需裁切大料損耗，單價遠低于 ISEM/ISO，適合大批量小型電極降本。

5. 耐高溫、化學惰性穩定

   真空 / 惰性氣氛最高 2500℃使用，耐酸堿、不浸潤熔融金屬，適配小型真空爐、實驗燒結工裝。

短板（選型避坑）

二、HPG 全系列型號、參數、定位與適用工況

1. HPG-51（均衡經濟型，市場用量最大主力）

• 關鍵參數：密度 1.82g/cm3，顆粒 7μm，肖氏 80HSD，抗折 73MPa，抗壓 172MPa，電阻率 11~13μΩ?m

• 定位：通用小型 EDM 電極、標準小型高溫治具

• 適用場景：

• EDM：中小型塑膠模、家電外殼、連接器小件粗 / 中精加工電極；

• 熱處理：實驗室管式爐小型載臺、簡易燒結石墨托盤、小尺寸熔煉坩堝；

• 通用輔件：石墨導電接頭、小型隔熱襯套、MIM 小件工裝。

• 優勢：強度、放電、成本均衡，標準量產小件優選。

2. HPG-53（高密度高硬度，精加工專用）

• 關鍵參數：密度 1.82g/cm3，肖氏 80HSD，抗折 73MPa，抗壓 172MPa，顆粒 6μm 更細膩

• 定位：小型鏡面電極、微小薄壁精密電極

• 適用場景：手機配件、光學小件、微型連接器精密放電，清角、細筋加工；小型硬質合金沖頭加工電極。

• 優勢：晶粒更細，放電光潔度優于 HPG-51，微小特征不易掉渣。

3. HPG-59（超高密度重載模壓款）

• 關鍵參數：密度 1.86g/cm3，顆粒 7μm，高致密低孔隙，耐磨性能提升

• 定位：小型重載燒結模具、連續加工長壽命電極

• 適用場景：粉末冶金小型熱壓模具、壓鑄小件批量電極、高溫耐磨滑動小件。

• 優勢：孔隙率低，高溫透氣小，電極損耗更低，使用壽命更長。

4. HPG-81（輕量化低電阻率，高導電快速放電）

• 關鍵參數：密度 1.77g/cm3，肖氏 80HSD，抗折 83MPa，熱導率 80W/m?K，電阻率 15.1μΩ?m

• 定位：輕量化小型電極、快速放電開粗小件

• 適用場景：大批量開粗電極、輕量化隔熱小件、小型快速熱處理加熱元件。

• 優勢：重量輕、導熱快，大電流放電去除效率高。

5. HPG-83（超高強度旗艦模壓石墨）

• 關鍵參數：密度 1.77g/cm3，肖氏 92HSD，抗折 96MPa，抗壓 187MPa，全系 HPG 強度天花板

• 定位：超細長微型電極、超薄筋高難度加工件

• 適用場景：0.05~0.2mm 薄壁電極、微型醫療模具、微小精密燒結工裝，極難崩角斷裂。

• 優勢：力學強度拉滿，應對細小復雜結構。

三、核心行業精準選型指南

（一）EDM 放電加工（小型模具電極）

1. 批量中小型塑膠 / 壓鑄模、常規粗中加工 → HPG-51

2. 小型鏡面、連接器精密骨位、光學小件精加工 → HPG-53

3. 長期量產、低損耗需求壓鑄小件、熱壓模具 → HPG-59

4. 細長微型薄壁電極、高難度微小型腔 → HPG-83

5. 大批量開粗、追求加工速度、輕量化電極 → HPG-81

（二）小型高溫治具 / 實驗室熱處理

1. 通用管式爐、小型燒結載臺、低成本輔件 → HPG-51

2. 小型硬質合金、陶瓷熱壓模具 → HPG-59

3. 超薄輕量化隔熱襯套、小型加熱元件 → HPG-81

4. 微型精密貴金屬熔煉坩堝、小型實驗工裝 → HPG-53/HPG-83

（三）禁用場景（絕對不推薦 HPG）

1. 光伏單晶爐、藍寶石長晶、SiC 長晶全套熱場（需等靜壓 IG/TTK/ISO）；

2. 半導體 MOCVD、擴散爐大型石墨舟、大尺寸承載盤（各向異性易溫場不均）；

3. 大型模具、長尺寸長條電極、大面積承重高溫構件；

4. 對三維同性、極低雜質、超低放氣有要求的潔凈制程。