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項目固定資產投資17億元，將利用企業(yè)現有場地升級擴建生產線，引入gao端晶體生長、精密拋光、缺陷檢測等核心生產設備，重點布局4-6英寸gao端砷化鎵、磷化銦單晶襯底產品。

近日，總投資20億元的gao端化合物半導體襯底生產線項目在浙江衢州完成投資備案。

據悉，項目由浙江先導微電子科技有限公司投建，建設周期為2026年8月至2029年8月。

據guan方備案信息顯示，項目固定資產投資17億元，將利用企業(yè)現有場地升級擴建生產線，引入gao端晶體生長、精密拋光、缺陷檢測等核心生產設備，重點布局4-6英寸gao端砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）單晶襯底產品。

項目建成后將形成年產砷化鎵襯底300萬片、磷化銦襯底300萬片的生產能力，合計年產600萬片gao端半導體襯底。

作為先導科技集團旗下核心材料平臺，浙江先導微電子已在衢州深耕多年，是國內shou家實現6英寸磷化銦襯底量產的企業(yè)，產品位錯密度、表面平整度等核心技術指標對標國際一線廠商，已穩(wěn)定供貨國內頭部光芯片、光模塊企業(yè)。