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據了解，HBC堆棧底部是近內存加速器單元，其上則是TSV技術堆疊LPDDR DRAM Die。

高通CEO表示，HBC Gen 1已完成流片，定制芯片已進入晶圓生產階段。據了解，HBC堆棧底部是近內存加速器單元，其上則是TSV技術堆疊LPDDR DRAM Die。

高通還表示，其ASIC芯片定制業務從兩家全球超大規模企業獲得的兩個項目已啟動晶圓生產，預計將從2026年12月季度開始創造收入。