核心型號與參數(shù)（半導體常用）

• EV?X100N：抽速10,000 L/min，極限真空0.5 Pa

• EV?X200N：抽速20,000 L/min，極限真空0.5 Pa

• EV?X300N：抽速30,000 L/min，極限真空0.5 Pa

• EV?X30N：小流量機型，抽速3,000 L/min

• 電源：3 相 200–220V / 50/60Hz，頻率自適應

• 能耗：較上代節(jié)能 25%–50%，底壓功耗約0.9–1.5 kW

• 占地：比同級小 **≈30%**，Sub?Fab 更易布局

三、結(jié)構(gòu)與原理

• 泵型：多級螺桿干式泵（無油、無水），轉(zhuǎn)子優(yōu)化設計，適合大流量、中高真空。

• 材質(zhì)：標準耐腐蝕（316L / 鎳基合金），可選高腐蝕強化包（應對 Cl/F 系）。

• 溫控：寬域高溫控制，抑制粉塵沉積、防止副產(chǎn)物凝結(jié)，適配刻蝕 / CVD / 灰化。

• 驅(qū)動：IE5 超高效電機，內(nèi)置振動 / 溫度 / 電流傳感器，支持Modbus/Profinet，適合 Fab 智能運維。

四、半導體應用環(huán)節(jié)（重點）

• 刻蝕（Etch）：DRIE、RIE、干法刻蝕（主流應用）

• CVD：PECVD、HDP?CVD、ALD（沉積腔主抽）

• 灰化（Ashing）：光刻膠去除、等離子清洗

• 離子注入（Ion Implant）：中真空段粗抽

• 外延（Epi）：Si/GaN 外延爐排氣

• PVD / 濺射：濺射腔、沉積系統(tǒng)主抽

五、關(guān)鍵優(yōu)勢（對比傳統(tǒng)干泵）

1. 多工藝兼容：一臺覆蓋刻蝕 / CVD / 灰化，減少備用泵庫存、簡化維護。

2. 低擁有成本（TCoO）：節(jié)能 + 長壽命 + 少維護，長期成本更低。

3. 耐腐蝕強：標準耐酸堿 / 鹵素，故障率低、停機少。

4. 安全合規(guī)：SEMI?S2、CE、NRTL認證，符合半導體 Fab 規(guī)范。

六、與荏原其他系列對比

• EV?X：中負荷、通用型，多工藝適配、節(jié)能（刻蝕 / CVD ）

• EV?S：輕負荷、高潔凈，低顆粒、低脈動（EUV / 超高真空級）

• EV?G：重負荷、高腐蝕，強酸 / 高粉塵（濕法 / 刻蝕高強度場景）