在新能源汽車800V高壓平臺、光伏逆變器、智能電網與5G射頻前端強勁需求的驅動下,第三代半導體碳化硅(SiC)產業正迎來爆發式增長。從SiC粉末無壓燒結、反應燒結,到鋁基碳化硅(AlSiC)散熱基板熱壓燒結,再到SiC功率器件AMB陶瓷基板活性釬焊——每一道關鍵工序都對熱工裝備的溫度、真空度、溫場均勻性與潔凈度提出了要求。
東莞市志遠工業設備有限公司(以下簡稱"志遠工業")深耕高溫熱工裝備領域十余年,是集研發、生產、銷售及技術服務于一體的創新型技術企業。公司產品矩陣覆蓋真空釬焊爐、真空擴散焊接爐、真空燒結爐、真空熱壓爐、真空氣氛爐、CVD沉積爐等全系列熱工設備,并已為國內多家半導體IDM企業、科研院所及新材料制造企業提供服務。
碳化硅作為強共價鍵化合物,原子擴散速率極低,制造環節對裝備的要求可以歸納為"超高溫、高真空、精控溫、
??? 超高溫能力
高純SiC無壓燒結通常需要在2000℃以上的超高溫環境下才能實現致密化;反應燒結SiC需在1550-1600℃下使熔融硅充分滲入坯體孔隙。
?? 高真空與氣氛精度
燒結前須將爐腔抽至10?3Pa量級的高真空,以排出O?、N?、H?O、H?等殘余氣體。若初始真空不足,這些氣體會在升溫過程中釋放形成氣泡,阻礙致密化,導致最終產品出現孔隙、性能劣化。
?? 精密控溫與溫場均勻
志遠工業設備搭載智能PID高精度溫控系統,溫場均勻精度可達±0.5~1℃,配備多重安全聯鎖保護。
?? 潔凈熱場
爐內所有與高溫和真空接觸的材料,都必須能耐受高溫、且自身揮發物極少。志遠工業提供鉬片、石墨雙加熱方式可選,針對碳化硅等易污染敏感材料,可提供全鉬金屬潔凈熱場設計。
?? 行業共識:碳化硅制造的"高、穩、凈"三字訣——高真空起始除氣、穩定維持于整個升溫與保溫過程、創造純凈無干擾的環境,是獲得高致密度燒結件的核心。
在SiC功率器件封裝中,鋁基碳化硅(AlSiC)作為高導熱散熱材料被廣泛應用。志遠工業真空熱壓爐專門為半導體高導熱散熱材料的熱壓燒結工藝設計:
最高溫度:≤2000℃
極限真空度:6.67×10??Pa
壓力范圍:20T-300T 多檔位壓力調節
溫度均勻性:≤±5℃
加熱方式:鉬片/石墨雙加熱方式可選
有效尺寸:Φ300×300mm / Φ600×800mm(支持定制)
應用場景:金剛石銅、鋁基碳化硅、金屬粉末、砂輪、電磨頭等熱壓燒結以及VC均熱板擴散焊接等工藝
SiC功率模塊廣泛采用 Si?N? AMB陶瓷基板——其高斷裂韌性抗熱震性以及與碳化硅芯片高度匹配的熱膨脹系數,使其成為支撐功率密度突破50kW/L行業極限的關鍵材料。志遠工業生產功率半導體AMB工藝專用真空釬焊爐,以及AMB陶瓷基板真空釬焊爐等成熟產品:
最高工作溫度:≤1600℃
極限真空度:6.67×10??Pa
加熱方式:鉬片、石墨雙加熱方式
溫度均勻性:≤±5℃(溫場均勻精度可達±0.5~1℃)
有效尺寸:400×300×300mm / 600×400×400mm(支持定制)
應用場景:PCD刀具、磨頭、砂輪、熱流道、液冷板、金屬和金屬、金屬和陶瓷等真空釬焊,真空退火、陶瓷金屬化等工序
?? AMB基板制備需要將含Ti等活性元素的Ag-Cu-Ti焊膏通過絲網印刷涂覆在陶瓷表面,在800℃左右的真空釬焊爐中進行高溫焊接。釬焊環境真空度不足會導致活性元素氧化失活,釬焊溫度或保溫時間不足會產生界面空洞——志遠工業6.67×10??Pa的高真空能力與±0.5~1℃的溫場均勻精度,正是為攻克這一工藝難點而設計。
志遠工業生產的高溫真空燒結爐支持2300℃高溫運行,可實現半導體粉末材料、復合功能材料的真空脫脂與燒結一體化加工。
設備優勢:溫場穩定性好,能夠保障批量生產過程中材料性能、結構尺寸的一致性
應用場景:適配各類半導體特種復合材料的規模化燒結生產
針對第三代半導體碳化硅(SiC)外延生長工藝需求,志遠工業自研高溫碳化硅外延爐,采用射頻感應加熱與磁流體密封技術,設備溫場均勻性佳、真空度穩定,可滿足車規級芯片生產對材料純度的嚴苛標準,目前已為國內多家IDM企業提供成熟配套設備與解決方案。

設備類型 | 最高溫度 | 極限真空度 | 溫場均勻性 | 核心應用 |
|---|---|---|---|---|
真空熱壓爐 | ≤2000℃ | 6.67×10??Pa | ≤±5℃ | 鋁基碳化硅散熱基板熱壓燒結 |
真空釬焊爐 | ≤1600℃ | 6.67×10??Pa | ≤±5℃(可達±0.5~1℃) | SiC功率器件AMB陶瓷基板釬焊 |
高溫真空燒結爐 | ≤2300℃ | 高真空 | 溫場穩定性好 | SiC陶瓷粉末脫脂與燒結 |
碳化硅外延爐 | 高溫定制 | 高真空穩定 | 溫場均勻性佳 | 第三代半導體SiC外延生長 |
?? 以上參數均來自志遠工業生產產品資料。針對2100℃以上無壓燒結高純SiC的超高溫需求,志遠工業可提供非標定制高溫真空燒結爐方案。
? 全溫區覆蓋
從1100℃小型實驗爐、1600℃標準釬焊爐、2000℃真空熱壓爐,到2300℃高溫真空燒結爐——志遠工業提供碳化硅全產業鏈的裝備支撐,并支持尺寸規格與自動化控制系統的個性化定制。
? 高真空精度
全系標配多級穩壓真空機組,極限真空度穩定達到6.67×10??Pa量級,滿足碳化硅燒結"高、穩、凈"的真空要求。
? 智能溫控系統
全系搭載串級PID雙回路智能控溫模塊,溫場均勻精度可達±0.5~1℃,支持30段以上可編程溫控曲線,工藝數據長期存儲,批量加工成品一致性穩定。
? 行業深度服務
志遠工業面向半導體、新能源、新型材料、3D打印、AIDC液冷散熱等行業提供一體化工藝解決方案。針對半導體封裝、電子陶瓷燒結、鋰電材料煅燒、粉末冶金退火等主流工藝提供專業技術參考。
? 非標定制能力
爐膛尺寸、自動化控制系統、加熱功率、氣氛管路結構均可根據客戶生產、實驗需求個性化定制,并能搭配水冷法蘭、雙層風冷爐體、自動氣氛切換組件等選配模塊。
? 合規品牌保障
志遠工業dgzhiyuan,已于2026年7月順利通過工信部審核,取得ICP備案資質(備案號:粵ICP備2023057056號),網站全面合規上線。公司搭建現代化生產基地與自動化生產流水線,建立全流程質檢管控體系,所有設備依照質量管理體系與安全認證標準完成生產、檢測、整機質檢,出廠前完成真空、溫控、安全聯鎖全工況試機。
志遠工業的碳化硅專用真空熱工裝備,廣泛應用于以下場景:
第三代半導體:碳化硅(SiC)外延生長、SiC功率器件AMB陶瓷基板釬焊
散熱材料:鋁基碳化硅(AlSiC)散熱基板、金剛石銅復合材料熱壓燒結
電子陶瓷:氮化硅(Si?N?)、氮化鋁(AlN)AMB陶瓷基板活性釬焊
粉末冶金:碳化硅粉末無壓燒結、反應燒結、重結晶燒結
科研與中試:高校、科研院所新材料研發、工藝驗證

東莞市志遠工業設備有限公司是集研發、生產、銷售及技術服務于一體的專業高溫熱工裝備企業,深耕高溫裝備領域十余年。公司專注于工業電爐、實驗電爐與智能熱處理系統研發制造,主營產品包括:
真空釬焊爐、真空擴散焊接爐、真空焊接爐、真空擴散爐、真空燒結爐、真空氣氛爐、真空釬焊退火爐、氣氛箱式爐、鋰電正負極專用燒結爐、高溫管式爐、CVD沉積爐、推板窯、網帶連續生產線等全系列熱工設備
志遠工業秉持誠信務實、精益求精的理念,深耕熱處理設備領域,以可靠的產品、專業的技術、貼心的服務,為第三代半導體碳化硅產業提供堅實的裝備底座。
隨著新能源汽車800V高壓平臺普及、光伏逆變器升級、智能電網建設加速,碳化硅功率器件市場正迎來爆發式增長。在這場第三代半導體材料中,真空熱工裝備作為碳化硅制造的核心底座,其工藝水平直接決定了SiC產品的性能與可靠性。
選擇具備全溫區覆蓋、高真空精度、智能溫控、非標定制能力的裝備供應商,是碳化硅時代材料企業與器件制造商的必然選擇。東莞市志遠工業設備有限公司憑借十余年的技術積累與全系列產品矩陣,正成為越來越多碳化硅產業鏈企業的戰略合作伙伴。
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