在半導體制造過程中，電子氣體的純度直接影響芯片的良率與器件性能。隨著制程節點的不斷推進，對氣體純度的要求也日益嚴格，雜質控制需達到ppb（十億分之一）乃至ppt（萬億分之一）級別。其中，氯硅烷類化合物（如三氯氫硅、四氯化硅等）以及高純載氣（如He、H?、Ar、N?、Cl?、HCl等）作為關鍵工藝氣體，廣泛應用于多晶硅、單晶硅及薄膜沉積等環節。

然而，氯硅烷在生產、儲存及使用過程中容易產生多種雜質，如氧、氮、碳氫化合物等，這些雜質對最終材料的電學性能與穩定性產生顯著影響。因此，建立一套穩定、靈敏、準確的分析方法，實現對氯硅烷及其工藝氣體中雜質的高效檢測，已成為提升產品質量與工藝控制水平的關鍵環節。

珀金埃爾默基于多年在半導體材料檢測領域的技術積累，結合氣相色譜與質譜平臺，開發出適用于多種氣體基質的高靈敏度檢測方法，助力企業實現高純氣體與氯硅烷工藝的全面質量控制。

高純氣體中的雜質檢測

氯硅烷及相關工藝檢測應用