原子層沉積系統技術特點及性能說明

來源：北京韞茂科技有限公司 2026年05月19日 14:56

　　一、原子層沉積技術簡介

　　原子層沉積（ALD）屬于高精度納米鍍膜技術，通過交替脈沖通入氣相前驅體，在基材表面逐層反應鍍膜。該技術具備自飽和與自限性特性，膜厚控制精準，可制備致密無針孔、保形性佳的納米薄膜，廣泛應用于半導體、精密光學、微電子等制造與科研領域。

　　二、國產ALD設備核心技術參數

　　原子層沉積系統，設備輕量化、均勻性優異，適配4寸襯底，適用于科研實驗及小批量試制，結構簡易、運維方便，綜合通用性強，具體參數性能如下：

　　（一）機身結構緊湊，部署靈活便捷

　　設備外形尺寸500*400*400mm，重量40KG。無需專用機房，可直接放置于實驗臺面，安裝調試簡便、占用空間小，適配實驗室及中小企業部署使用。

　　（二）工藝配置完備，適配多種鍍膜場景

　　1.襯底規格：支持4寸襯底，兼容晶圓、玻璃、金屬等基材，滿足常規薄膜制備與材料改性實驗需求。

　　2.寬溫工藝區間：工藝溫度為室溫至300℃，適配熱敏材料，同時可滿足中高溫薄膜沉積工藝要求。

　　3.多組前驅體拓展：配備4路前驅體通道，兼容固、液態材料，可制備氧化膜、鈍化膜等功能薄膜。

　　（三）鍍膜均勻度高，成膜質量穩定

　　設備優化腔體流場與溫控系統，鍍膜均勻性達99.9%。膜層均勻致密、無針孔，臺階覆蓋率與保形能力良好，符合微電子、光學鍍膜高精度加工標準。

　　三、設備綜合優勢與行業價值

　　相較于進口設備，該國產化ALD設備性價比高、運維成本低、售后便捷。設備體積小巧、性能穩定，適配高校科研與企業小批量試制，解決了傳統鍍膜設備笨重、高價的痛點。

　　隨著國內半導體、精密光學產業升級，國產化鍍膜設備需求攀升。該沉積系統依托自身性能優勢，助力設備國產化替代，為納米材料研發、精密元器件制造提供可靠、經濟的技術方案。

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