半導(dǎo)體與電子制造中的超低氧測(cè)量解決方案
半導(dǎo)體與電子制造中的超低氧測(cè)量解決方案
半導(dǎo)體芯片和電子元器件的制造過(guò)程對(duì)生產(chǎn)環(huán)境的潔凈度和微量雜質(zhì)含量有著極其嚴(yán)苛的要求。
金屬互連層的氧化會(huì)顯著影響芯片性能和成品率,因此對(duì)生產(chǎn)設(shè)備腔體和工藝氣體中的微量氧含量必須實(shí)施精密監(jiān)控。
第一熱研TB系列氧化鋯氧氣濃度分析儀為半導(dǎo)體行業(yè)提供了優(yōu)異的超低氧測(cè)量解決方案。
TB-ⅡV/TB-ⅡVN真空/密閉氣氛專用型可在真空氣氛下測(cè)量1×10??Torr量級(jí)的氧分壓,傳感器直接插入腔體無(wú)需取樣管路,最大限度地避免了因管路吸附和泄漏造成的測(cè)量誤差。
TB-SI系列可攜式微氧分析儀在半導(dǎo)體制程和回流焊爐工藝中已普遍采用,其測(cè)量范圍可從ppm級(jí)微量氧一直延伸至100%高濃度氧,兼具高靈敏度和寬量程特性。
C-58控制單元可與氧化鋯O?傳感器結(jié)合使用,控制傳感器溫度、處理信號(hào)并顯示氧氣濃度,其自由量程規(guī)格允許為每個(gè)量程任意設(shè)置輸出縮放比例,并支持MODBUS通訊,便于集成至半導(dǎo)體產(chǎn)線的自動(dòng)化監(jiān)控系統(tǒng)。
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