近期，Quantum Design代理品牌 Hprobe 發布全新行業通訊《磁力無限！》，依托母公司 Mycronic 集團資源加持，Hprobe 在 MRAM 存儲、磁傳感器晶圓測試領域持續加碼布局，我司作為國內合作代理方，同步本次核心行業動態與前沿技術進展。

Hprobe CEO Laurent Lebrun表示：“我們將持續推進高速磁場測試解決方案，依托自主研發的3D 磁場技術，進一步提升精度、吞吐量與整體性能。作為 MRAM 聯盟的創始成員，我們也積極參與并推動了該聯盟的成立，并在 Intermag 國際會議上組織了以"磁抗擾度"為主題的首場會議——這是加速 MRAM 大規模商用的重要一步。”

Hprobe CEO Laurent Lebrun

┌─ 本期要聞 ─┐

• 加入 Mycronic 后加速全球增長

  Hprobe 正在擴大其工業制造與全球銷售能力，以更好地服務全球客戶。

• SNIA 成立 MRAM 聯盟 SIG，推動 MRAM 廣泛應用

  多家企業攜手合作，加速 MRAM 的商用化進程。

• 磁傳感器市場吸引力持續增強

  TMR 傳感器的快速增長正在推高晶圓級測試的需求。

加入 Mycronic 后加速全球增長

自加入 Mycronic 以來，Hprobe 進一步強化了全球組織架構。銷售團隊現已實現全球覆蓋，并得到了不斷擴大的分銷商網絡的支持。

在過去的幾個月里，Hprobe 團隊非常活躍，參加了全球各地的重要行業活動，包括：SEMICON China、SEMICON Korea、SEMICON Japan、SEMICON West、IEDM，以及 Intermag 國際會議。后續品牌還將亮相多場重磅行業活動，與全球各地的客戶和合作伙伴面對面交流。

┌─ 即將舉行的活動 ─┐

• SEMICON Southeast Asia

• IEDM Europe

• MMM Conference

• SPIE Photonics West

SNIA 成立 MRAM 聯盟 SIG，推動 MRAM 廣泛應用

由 SNIA 固態存儲行業協會設立 MRAM 聯盟專項工作組（SIG）現已正式運營。Hprobe 作為聯盟創始核心成員，在加速 MRAM 在低功耗邊緣設備到高性能計算系統、通過促進整個生態系統的協作、明確關鍵優先事項等各類應用中的推廣，提升行業認知度，以及推動 MRAM 的落地實施中貢獻了其在磁場測試領域的專業經驗。

MRAM 聯盟發展歷程

MRAM 聯盟是 MRAM 技術組（MRAM Technology Group）在內容與范圍上的延伸。MRAM 技術組于 2024 年成立，是一個全球技術委員會，旨在應對 MRAM 商用化的關鍵挑戰，首先從"磁抗擾度"這一關鍵問題入手。MRAM 技術組的重要里程碑之一是完成了業界創新性跨行業、同行評審的磁抗擾度研究，題為《外部磁場對自旋轉移矩磁存儲器工作的影響》，發表于 IEEE《電子器件》雜志（2024 年秋季刊）。

論文共同作者和貢獻者（按字母順序排列）包括：Applied Materials、CEA/SPINTEC、Everspin Technologies、GlobalFoundries、Hprobe、Huawei、IBM、Imec、KAIST、Netsol、NUMEM、Tohoku University、University of Arizona、University of Texas, Austin。

加入MRAM 聯盟

• 公立研究實驗室和學術機構可免費加入。

• 已加入 SNIA 的企業可立即加入 MRAM 聯盟 SIG，無需額外費用。

Intermag 2026：首屆 MRAM 聯盟會議

經過數十年的發展，STT-MRAM 現已投入量產，但大規模商用仍面臨挑戰，尤其是在磁抗擾度方面。本次會議由 SNIA MRAM 聯盟 SIG 組織，聚焦真實應用場景下的磁抗擾度問題，解答了圍繞該技術的剩余疑慮與誤解。來自產業鏈涵蓋工業界與學術界各個環節的演講嘉賓分享了應對這一挑戰的實用方法，強調通過規范、流程和標準化手段，磁抗擾度問題可以得到有效解決。

除了技術討論之外，本次會議還展示了跨生態系統協作的價值，這種協作對于應對工程與商業層面的雙重挑戰至關重要。

會議演講嘉賓

會議主席：Goran Mihajlovic（西部數據）

• Ben Schmidt（NXP）—— 《MRAM Magnetic Allergies》

• Abhishek Talapatra（GlobalFoundries）—— 《Standby Magnetic Immunity: Evaluation and Mitigation Strategy》

• Jaehoon Kim（Samsung）—— 《Enhanced Magnetic Immunity in STT-MRAM via Wafer-Level Magnetic Shielding》

• Siamak Salimy (Hprobe CTO)— 《MRAM Magnetic Immunity Under Control》

• Dan Gopman（NIST）—— 《Inoculating Innovation: How Standards Resolve the MRAM Magnetic Immunity Challenge》

• Pedram Khalili（Northwestern University）—— 《Current-induced switching of all-antiferromagnetic tunnel junctions》

磁傳感器市場吸引力持續增強

特邀文章

當前 TMR 隧道磁阻傳感器憑借高靈敏度、低功耗、適配 CMOS 工藝等優勢，廣泛用于位置、速度、電流、方位檢測，車載、工業、消費電子市場需求持續攀升，帶動晶圓級磁場測試設備需求大幅上漲。

Hprobe CTO Siamak Salimy 受邀在期刊《Chip Scale Review》發布專題文章《利用 3D 磁場激勵進行 TMR 傳感器的晶圓級測試》，文章指出 TMR 器件測試需要對三維磁場的強度、方向、均勻度進行精確控制，傳統二維磁場設備無法滿足量產檢測標準，而 Hprobe 自研的 3D 磁場激勵方案可實現高精度、可重復性晶圓測試，有效匹配當下 TMR 傳感器產線檢測需求。

相關文章分享：三維磁場精準控制：TMR 傳感器從研發到量產的關鍵技術方案

(全文詳見雜志 P.42)

Hprobe——晶圓級超快三維磁場探針臺

Hprobe 擁有前沿的 3D 磁場發生器技術，能夠產生具有極快振幅和角掃描速率的高強度磁場，并集成到專用于高通量運行的磁性器件晶圓級測試產品中，解決了磁性集成電路工業測試的諸多挑戰。其特殊設計的磁場發生器和電源通過空氣冷卻運行，無需復雜的液體冷卻裝置，進一步提升了設備的實用性與可靠性。

Hprobe——晶圓級超快三維磁場探針臺

技術特點：

• 高速掃描：磁場掃描速率每秒高達10000步采樣，滿足高通量、大規模生產要求的測試需求；

• 三維磁場控制：具有獨立可控空間軸的真正3D磁場，實現垂直和面內場生成的任何組合；

• 高磁場輸出：單向超高強度磁場，結合極快的掃描速度，在20微秒內實現高達2特斯拉的掃場速率。

STT-MRAM的測試程序舉例

TMR傳感器的測試程序舉例

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作為 Hprobe 國內合作代理， QuantumDesign中國可為國內 TMR 傳感器、MRAM 存儲企業提供全套晶圓磁場測試設備咨詢、方案定制、技術對接服務，同步共享海外前沿行業標準與測試工藝，推動中國半導體及磁傳感器行業的技術升級與產業創新。