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產品簡介
特點
集成多項創新性設計,拓展新應用領域的利器
S8000G是TESCAN新一代FIB-SEM的*成員,集成了BrightBeam™ SEM鏡筒、Orage™ GaFIB鏡筒、OptiGIS氣體注入系統等多項創新設計,在高分辨能力、原位應用擴展能力和分析擴展能力方面達到了業內*水平,此外新一代操作流程和軟件也給使用者帶來更舒適、高效的體驗。
創新的電子光學鏡筒,使電鏡擁有更加出色的超高分辨率
S8000G配置了的BrightBeam™鏡筒,實現了無磁場超高分辨成像,可以zui大化的實現各種分析,包括磁性樣品的分析。新型鏡筒中的電子光路設計增強了低能量電子成像分辨率,特別適合對電子束敏感樣品和不導電樣品的分析。
另外,EquiPower™透鏡技術可有效減少能量損耗并保證電子鏡筒的穩定性。
配備的多種探測器,更好的表面靈敏度和對比度
S8000G系統可配置的多種探測器,包括透鏡內 Axial detector 以及 Multidetector,可選擇不同角度和不同能量來收集信號,信息種類更多,同時獲得更好的表面靈敏度和對比度。
新一代 Orage™ Ga FIB鏡筒,適用于各類具有挑戰性的納米加工任務
S8000G離子能量zui低可達500eV,擁有更優秀的低壓樣品制備能力,可以快速制備無損超薄TEM樣品
創新的Orage™ Ga FIB鏡筒配有*的離子光學系統和設計的OptiGIS™氣體注入系統,使得TESCAN S8000G成為了世界*的樣品制備和納米圖形成型的儀器。S8000G束流可達100nA,具有超快速的加工能力,新穎的SmartMill高速切割功能,使得加工效率提升一倍。
技術參數
電子光學系統
電子槍 | 高亮度肖特基場發射電子槍 |
電子光學鏡筒 | Bright Beam™ 電子光學鏡筒 |
分辨率 |
|
高真空模式 | 0.9nm@15kV |
1.4nm@1kV(電子束減速模式) | |
1.6nm@200V(電子束減速模式) | |
低真空模式 | STEM(透射模式):0.9nm@30kV |
BSE(背散射):2.0nm@30kV | |
LVSTD(低真空二次電子探測器):1.5nm@30kV | |
放大倍數 | 1~2,000,000倍 |
zui大視野 | 7mm@WD=6mm(分析距離) |
加速電壓 | 50V~30kV |
探針電流 | ~400nA |
離子光學系統
離子鏡筒 | Orage™高分辨 Ga +FIB鏡筒 |
分辨率 | < 2.5 nm @ 30 kV (工作距離為SEM-FIB 交叉點) |
放大倍率 | zui小150倍 @交叉點,加速電壓 10 kV (對應視野為1mm),zui大1,000,000 x |
加速電壓 | 0.5 kV ~ 30 kV |
探針電流 | < 1 pA ~ 100 nA |
SEM-FIB交叉點 | SEM (WD = 6 mm) – FIB (WD = 12 mm) |
SEM-FIB 夾角 | 55° |
氣體注入系統 | 5針多氣體注入系統 (選配) 單針多氣體注入系統 (選配) |
探測器、樣品室和樣品臺
探測器(標配) | Multidetector (In-Beam) Axial detector (In-Beam) E-T detector (In-Chamber) Retractable BSE (In-Chamber) |
樣品室 | 內部尺寸: 340 mm (寬) × 315 mm (深) × 320 mm (高 ); 接口數量: 20個;內置主動減震 |
樣品臺 | 電腦控制的全自動樣品臺 X/Y = 130 mm, Z = 90 mm R = 360°, T = -60°~ +90° |
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