熱場發射掃描電子顯微鏡 新一代掃描電鏡JSM-7800F配備了新開發的超級混合式物鏡(SHL)，在保持*的可操作性的同時，實現了低加速電壓下的高分辨率，電子源采用浸沒式（in-lens）肖特基場發射電子槍，因而能以大束流電流進行穩定的分析。
產品特點
 

• 新一代場發射掃描電鏡JSM-7800F配備了新開發的超級混合式物鏡(SHL)，在保持*的可操作性的同時，實現了低加速電壓下的高分辨率，電子源采用浸沒式（in-lens）肖特基場發射電子槍，因而能以大束流電流進行穩定的分析。

• 通過超級混合式物鏡(SHL)進行高分辨率觀察
• JSM-7800F的物鏡采用的是靜電場和靜磁場疊加的超級混合式物鏡(SHL)，由于減少了色差及球差，*地提高了低加速電壓下的分辨率。此外，SHL不會對樣品形成磁場影響，因此觀察磁性材料的樣品和進行EBSD測試可以不受制約。

• 低加速電壓下的能量選擇
• 能量過濾器位于高位檢測器 (UED)的正下方，可以選擇能量。即使在低加速電壓下，也能夠精確地選擇二次電子和背散射電子，因而可以通過低加速電壓下的背散射電子像觀察樣品的淺表面。

• 通過Gentle Beam （即柔和光束GB模式）觀察樣品的淺表面
• 給樣品加以偏壓(GB)，對入射電子有減速、對釋放出的電子有加速作用。即使入射電子束到達樣品時的能量很低，也可以獲得高分辨率、高信噪比的圖像。如果利用能施加更高偏壓的GB模式，用幾十電子伏能量的入射電子束，就可以進行更高分辨率的觀察。

• 通過多個檢測器獲取樣品的所有信息
• JSM-7800F配有四種檢測器：高位檢測器(UED) 、高位二次電子檢測器(USD)、背散射電子檢測器(BED)和低位檢測器(LED)。UED過濾器的電壓不同，二次電子和背散射電子的數量會改變，因此可以選擇電子的能量，USD檢測被過濾器彈回的低能量電子，BED通過檢測低角度的背散射電子，能清楚地觀察通道襯度。利用LED的照明效果能夠獲得含有形貌信息的、富有立體感的圖像。

• • 應用實例
  • 低加速電壓下的觀察
  • 利用JSM-7800F的GB模式，到達樣品的能量從10 eV開始就可以觀察。下面將到達樣品的能量設定為80 eV進行實例觀察：一個碳原子厚度的石墨薄片的表面
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    • 樣品: 石墨烯　到達能量80eV
    • 能量選擇
    • UED和USD能同時獲取背散射電子像(左圖)和二次電子像(右圖)，因此可以精確地解釋圖像。二次電子像主要反映形貌信息，金顆粒和TiO2的襯度沒有明顯不同，而背散射電子像中原子序數高的金顆粒則顯得明亮。

    • 背散射電子像

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