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產品簡介
上海伯東代理 KRI 考夫曼離子源 KDC 40產品參數
| 供貨周期 | 一個月以上 |
上海伯東代理 KRI 考夫曼離子源 KDC 40詳細信息
KRI 考夫曼離子源 KDC 40
上海伯東代理美國進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 40: 小型低成本直流柵極離子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型離子源升級款. 具有更大的柵極, 更堅固, 可以配置自對準第三層柵極. 離子源 KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標準配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.
KRI 考夫曼離子源 KDC 40 技術參數
型號 | KDC 40 |
供電 | DC magnetic confinement |
- 陰極燈絲 | 1 |
- 陽極電壓 | 0-100V DC |
電子束 | OptiBeam™ |
- 柵極 | 專用, 自對準 |
-柵極直徑 | 4 cm |
中和器 | 燈絲 |
電源控制 | KSC 1202 |
配置 | - |
- 陰極中和器 | Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000 |
- 架構 | 移動或快速法蘭 |
- 高度 | 6.75' |
- 直徑 | 3.5' |
- 離子束 | 集中 |
-加工材料 | 金屬 |
-工藝氣體 | 惰性 |
-安裝距離 | 6-18” |
- 自動控制 | 控制4種氣體 |
* 可選: 可調角度的支架
KRI 考夫曼離子源 KDC 40 應用領域
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
若您需要進一步的了解考夫曼離子源, 請參考以下聯絡方式
上海伯東: 羅先生
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