PlasmaPro 80 ICP等離子刻蝕設備是一種結構緊湊、小型且使用方便的直開式系統，可提供多種刻蝕解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝質量。直開式設計允許快速的進行晶圓裝卸，是科學研究、原型設計和少量生產的理想選擇。 該設備通過優化了的電極冷卻技術和出色的襯底溫度控制來實現高度穩定的工藝結果。

直開式設計允許快速裝卸晶圓

出色的刻蝕深度和刻蝕速率控制

出色的晶圓溫度均勻性

晶圓最大可達200mm

購置成本低

符合半導體行業 S2 / S8標準

PlasmaPro 80 ICP等離子刻蝕設備特點：

小型系統 —— 易于安置 

優化的電極冷卻系統 —— 襯底溫度控制

高導通的徑向（軸對稱）抽氣結構 —— 確保能提升工藝均勻性和速率

增加<500毫秒的數據記錄功能 —— 可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄

近距離耦合渦輪泵 —— 抽速高迅速達到所要求的低真空度

關鍵部件容易觸及 ——系統維護變得直接簡單

X20控制系統——大幅提高了數據信息處理能力， 并且可以實現更快更可重復的匹配

通過前端軟件進行設備故障診斷 —— 故障診斷速度快

用干涉法進行激光終點監測 —— 在透明材料的反射面上測量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法來確定非透明材料 (如金屬) 的邊界

用發射光譜（OES）實現較大樣品或批量工藝的終點監測 —— 監測刻蝕副產物或反應氣體的消耗量的變化，以及用于腔室清洗的終點監測