概要

PD-220NL 是一種負載鎖定等離子體增強化學氣相沉積 (PECVD) 系統，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。
該系統以非常緊湊的占地面積提供了PECVD的所有標準功能。可在直徑220毫米的區域內沉積具有優異厚度均勻性和應力控制的薄膜，并具有優異的穩定性和可重復性。用戶友好的觸摸屏界面，用于參數控制和配方存儲。該系統是研發用薄膜沉積以及試生產的理想選擇。

主要特點和優點

• 最大加工范圍：?220 mm (?3" x 5, ?4" x 3, ?8" x 1)

• 優異的均勻性和應力控制

• 卓yue的工藝穩定性和可重復性

• 堅固的系統，最di的運行/維護成本

• 用戶友好的觸摸屏界面，用于參數控制和配方存儲。

• PD-220NL設計時尚、緊湊，只需最小的潔凈室空間。

• 雙頻(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD，用于卓yue的過程控制。

應用

• SiH4-SiNx
     SiH4-SiO2
     液體前驅體(SN-2)SiNx。
     TEOS-SiO2

概要

PD-220N是用于沉積各種硅薄膜（SiO2、Si3N4等）的等離子體CVD系統。 PD-220N在提供薄膜沉積所需的全部功能的同時，占地面積比本公司的傳統系統小40%。 從尖duan研究到半大規模生產，它的應用范圍很廣。

主要特點和優點

可在?8英寸晶圓上沉積
盡管設計緊湊，但該系統能夠在5塊?3英寸晶圓、3塊?4英寸晶圓和1塊?8英寸晶圓上同時沉積。

TEOS-SiO2成膜系統可擴展
可增加TEOS等溫室裝置。 (這是一個選項)

應用

各種硅基薄膜的形成
可形成氮化硅膜、氧化硅膜、非晶硅膜。

選項

可以增加形成TEOS-SiO2薄膜的TEOS等溫室裝置。