核心參數(shù)

1. 加工光斑：最小 φ0.5mm 微區(qū)定點加工，配套多規(guī)格可替換等離子噴嘴

2. 射頻功率：整機 RF 輸出控制在 50W 以內(nèi)，低能量加工降低半導體樣品損傷

3. 蝕刻速率：穩(wěn)定勻速加工，適合絕緣膜、硅層均勻去除

4. 排氣結(jié)構：噴嘴一體化同步抽吸設計，加工殘渣實時導出，減少腔體污染

5. 樣品承載：可平移移動樣品臺，支持大面積、多規(guī)格芯片、晶圓試樣加工

6. 氣路配置：機身前置多組氣壓調(diào)節(jié)表盤，適配多種蝕刻工藝氣體通入

7. 合規(guī)要求：低功率射頻設計，無需向監(jiān)管部門提交設備安裝許可申請

8. 放置工況：標準臺式機身，常規(guī)實驗室常溫無塵環(huán)境可長期連續(xù)運行

日本SUNYOU 小型臺式局部等離子蝕刻設備

適用場景

1. 半導體芯片失效分析實驗室

   IC、LSI 芯片故障解析前處理，定點蝕刻剝離表層絕緣膜，露出內(nèi)部金屬線路，適配日本原廠半導體失效分析成套檢測設備。

2. 硅晶圓、MEMS 微結(jié)構精細加工

   硅片溝槽刻蝕、深度平坦化處理，低損傷等離子工藝保護底層微結(jié)構，可搭配德國進口晶圓表征觀測設備使用。

3. 微電子產(chǎn)線光刻膠局部剝離

   器件局部區(qū)域光刻膠定點去除，無需整片浸泡濕法腐蝕，規(guī)避液體對微型器件的侵蝕，適配美國半導體研發(fā)產(chǎn)線管控標準。

4. 高校微電子、材料科研實驗室

   半導體新工藝、高分子表面親水改性實驗，小型臺式機身適配實驗臺有限空間，滿足多國高校教學科研實驗規(guī)范。

5. 光電、傳感器器件表面預處理

   光學傳感元件等離子活化清洗，提升薄膜鍍層結(jié)合力，改善器件封裝粘接效果。

6. 第三方半導體檢測機構來料分析

   各類芯片、封裝器件批量故障試樣預處理，標準化刻蝕流程統(tǒng)一解析條件，保障檢測數(shù)據(jù)一致性。

7. 新材料表面改性工藝研發(fā)

   高分子、陶瓷材料等離子親水、活化處理，對比不同工藝氣體下材料表面特性變化。

使用優(yōu)勢

1. 微區(qū)定點局部加工，只蝕刻目標點位

   斑點等離子技術，僅噴嘴覆蓋區(qū)域發(fā)生蝕刻，無需整片晶圓浸泡或全域等離子處理，完好保護器件其余結(jié)構，適配微小芯片、封裝樣品解析。

2. 抽吸式一體排氣，加工殘渣少、維護簡單

   等離子噴嘴同步抽吸廢氣與反應殘渣，不會堆積在腔體內(nèi)部，延長整機清潔維護周期，對比傳統(tǒng)真空等離子設備大幅減少拆機清理頻次。

3. 50W 以內(nèi)低功率射頻，樣品低損傷加工

   低能量等離子作用，不會產(chǎn)生高溫、強離子沖擊破壞半導體內(nèi)部精密線路，適合超薄絕緣膜、微小 MEMS 結(jié)構精細去除。

4. 臺式緊湊型機身，實驗室擺放靈活

   一體化集成射頻、氣路、加工腔體、抽吸單元，無需外接大型真空機組，普通實驗臺面即可放置，老舊實驗室改造無需擴容場地。

5. 無需電波許可備案，設備導入門檻低

   整機射頻輸出功率合規(guī)，采購安裝后不用辦理無線電設備申報手續(xù)，企業(yè)、院校可快速完成設備投產(chǎn)使用。

6. 可移動樣品臺，兼顧小點與大面積加工

   樣品工作臺支持前后左右平移，單點精細解析、整片晶圓大范圍連續(xù)蝕刻均可實現(xiàn)，一臺設備覆蓋多種試樣尺寸需求。

7. 通用標準氣體接口，兼容多國工藝氣源

   機身氣路快插接頭規(guī)格通用，日本、德國、美國主流半導體蝕刻工藝氣瓶、管路配件可直接對接，無需額外轉(zhuǎn)接工裝。

8. 操作流程簡易，新人快速上手使用

   前置氣壓調(diào)節(jié)表盤 + 可視化加工觀察窗，蝕刻時長、氣體流量直觀可控，無需專業(yè)等離子工藝操作人員值守，批量試樣處理效率更高。