發布日期： 2026年04月12日

作者： 森德儀器/應用技術部

儀器類別： 檢測設備、分析儀器

閱讀時間： 約 15 分鐘

關鍵詞： 濕法刻蝕、濃度在線監測、終點檢測、藥液管理、森德儀器、實驗室設備

物理本質： 刻蝕速率與藥液中有效組分的摩爾濃度成正比。例如，在 BOE（緩沖氧化物刻蝕液）中，HF 與 NH?F 的比例直接決定了對 SiO? 的刻蝕均勻性。

監控手段： 通過集成在管路中的傳感器（如近紅外光譜儀），實時分析多組分藥液的光譜特征。利用化學計量學模型，可以實現對 H?SO?、H?O?、HF 等化學品的秒級濃度反饋。

物理本質： 隨著刻蝕層變薄并最終暴露出底層材料，表面的反射率或藥液界面的折射率會發生突變。

技術路徑： 利用非接觸式的光學探頭從晶圓背部或正面上方實時探測。當檢測到反射干涉條紋消失或特定波長下的強度躍遷時，系統自動觸發的漂洗程序，將過刻蝕時間壓縮至毫秒級。

應用場景： 針對減薄后的晶圓，使用混合酸去除機械加工損傷層。

技術要求： 很高的刻蝕速率一致性，防止由于濃度分布不均導致的晶圓厚度差（TTV）惡化。

森德適配性： 森德提供的在線藥液濃度分析儀，配合大流量藥液循環系統，可實時監控混酸比例，確保大規模批次處理的均勻性。

應用場景： 犧牲層（如氧化硅）的濕法去除，以釋放懸浮結構。

技術要求： 需精準判定犧牲層去除的時刻，防止藥液對敏感結構的過度侵蝕。

森德適配性： 基于激光干涉原理的濕法終點檢測器，能夠穿透部分藥液層，實時捕捉底層圖形的顯現時刻，實現自動關斷。

應用場景： 柔性顯示或功率器件中的金、銅電極成型。

技術要求： 實時監測剝離液中光刻膠殘留物的積累量，預判藥液失效點。

森德適配性： 利用紫外-可見全光譜分析，可定量檢測藥液中的有機負載量，指導產線科學更換藥液。

SEMI F63: 超純水系統及化學品純度合規性標準。

SEMI C1: 濕化學品分析與濃度偏差評價準則。

ISO 15859: 半導體流體系統——藥液供應與成分監測通用要求。