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進口OTSUKA大塚 ELSZneo 納米粒徑測量器

進口OTSUKA大塚 ELSZneo 納米粒徑測量器

其新增功能是采用多角度測量，從而提高了粒徑分布的分離能力。此外，它還能夠測量顆粒濃度、進行微流變學測量以及分析凝膠網絡結構。

全新設計的zeta電位板式樣品池采用了新開發的耐高鹽濃度涂層，使其能夠在生理鹽水等高鹽環境下進行測量。同時，還提供一款僅需3 μL即可進行粒徑測量的超痕量樣品池，進一步拓展了其在生命科學領域的應用前景。

[點擊此處  了解 ELSZneoSE，這是一款專為顆粒尺寸和 zeta 電位測量而設計的設備]

可以在很寬的濃度范圍內測量顆粒尺寸和zeta電位，從稀溶液到濃溶液（高達40%）*1。

多角度測量能夠以較高的分離效率測量顆粒尺寸分布。

在高鹽濃度下可以測量平面樣品的zeta電位。

可以使用靜態光散射法測量顆粒濃度。

利用動態光散射可以進行微流變學測量。

通過測量凝膠樣品上的多個點，可以評估凝膠的網絡結構和異質性。

使用標準流動池可以連續測量粒徑和zeta電位。

測量溫度范圍很廣，從 0 到 90°C 均可進行。

溫度梯度函數能夠分析蛋白質和其他材料的變性和相變溫度。

通過測量和繪制細胞內的電滲流，我們獲得了高度精確的zeta電位測量結果。

可加裝熒光濾光片（可選）。

目的

這非常適合對微粒、薄膜和片狀樣品等表面科學進行基礎研究和應用研究，研究領域包括界面化學、無機材料、生命科學、半導體、聚合物、生物學、藥學和醫學。

新型功能材料領域：

燃料電池相關（碳納米管、富勒烯、纖維素納米纖維、功能膜、催化劑、納米金屬）、

生物納米相關（納米膠囊、樹枝狀聚合物、DDS、生物納米顆粒）、納米氣泡、

生物相容性材料等。

陶瓷和著色劑行業：

的表面改性、分散和聚集控制

；顏料（炭黑、有機顏料）的分散和聚集控制；以及

漿狀樣品

和濾色片

中礦物浮選吸附的研究。

在半導體領域，

我們正在研究 異物粘附到硅晶片表面的機制

、磨料和添加劑與晶片表面的相互作用以及

 CMP 漿料。

聚合物和化學工業

研究 ：乳液（涂料和粘合劑）的分散和聚集控制，乳膠（醫藥和工業）的表面改性，聚合物電解質（聚苯乙烯磺酸鹽、聚羧酸等）的功能，以及造紙工藝控制和

功能性納米顆粒紙漿和紙漿

的紙漿添加劑研究。

控制制藥和食品工業中乳液（食品、香料、醫藥和化妝品）的分散和聚集；

控制功能性脂質體和蛋白質囊泡的分散和聚集；以及控制表面活性劑（膠束）的功能。

原則

粒度測量原理：動態光散射法（光子相關法）

溶液中的顆粒會進行布朗運動，其運動強度取決于顆粒大小。因此，當光照射到這些顆粒上時，散射光對于小顆粒表現出快速波動，對于大顆粒則表現出緩慢波動。

通過光子相關光譜法分析這些波動，可以確定顆粒的大小和粒徑分布

。

分析流程

Zeta電位測量原理：電泳光散射法（激光多普勒法）

當對溶液中的粒子施加電場時，會觀察到電泳現象，其取決于粒子的電荷。通過電泳速度，可以確定zeta電位和電泳遷移率。在電泳光散射中，用光照射電泳粒子，并通過散射光的多普勒頻移來確定電泳速度。這種方法也稱為激光多普勒法。

測量電滲流的優勢

電滲流是指在zeta電位測量過程中，溶液在細胞內的流動。當細胞壁帶電時，溶液中的反離子會聚集在細胞壁上。施加電場后，反離子會向相反方向的電極移動，并在細胞中心附近產生反向流動以補償這種流動。通過測量顆粒的表觀電泳遷移率并分析電滲流，可以確定正確的靜止表面，并考慮細胞污染（例如樣品的吸附和沉降）的影響，從而計算出真實的zeta電位和電泳遷移率。（參見Mori和Okamoto公式）

Mori 和 Okamoto 公式

：考慮電滲流的細胞內電泳速度分析：

z：距電泳槽中心的距離；

Uobs(z)：電泳槽中位置 z 處的表觀遷移率；

A = 1/[(2/3) - (0.420166/k)]；

k = a/b：2a 和 2b 分別為電泳槽橫截面的水平和垂直長度，其中 a > b；

Up：粒子的真實遷移率

；U0：電泳槽上下壁的平均遷移率；ΔU0

：電泳槽上下壁遷移率之差

電滲流在多組分分析中的應用

ELSZ 系列測量細胞內多個點的表觀電泳遷移率，從而可以驗證 zeta 電位分布的重現性并識別測量數據中的噪聲峰。

應用于平面細胞

該平板池的結構允許將平板樣品緊密地附著在盒狀石英池的頂面上并集成其中。在池的深度方向上，測量監測粒子在各層級的表觀電泳遷移率，并根據獲得的電滲剖面分析固液界面處的電滲流速度，從而確定平板樣品表面的zeta電位。

濃縮樣品zeta電位測量原理

對于濃度  或顏色較深、透光性差的樣品，由于多重散射和吸收的影響，使用ELS系列儀器進行測量較為困難。

目前，ELSZ系列的標準樣品池可以測量從稀薄到濃稠的各種樣品。此外，對于濃度更高的樣品，現在可以使用采用FST方法*的濃縮樣品池進行zeta電位測量。

分子量測定原理：靜態光散射法（光子相關法）

靜態光散射是一種簡便易行的測量絕對分子量的方法。

其測量原理是：用光照射溶液中的分子，并根據散射光的絕對值來確定分子量。換句話說，它利用了大分子產生強散射光而小分子產生弱散射光的現象。

實際上，散射光強度也會隨濃度而變化，因此需要測量幾種不同濃度溶液的散射強度，并將濃度繪制在橫坐標（x軸），根據以下公式繪制散射強度的倒數Kc/R(θ)在縱坐標（y軸）。這被稱為德拜圖。

分子量Mw可以通過外推至零濃度時截距（c=0）的倒數來確定，而第二維里系數A2可以通過初始斜率來確定。

對于大分子量分子，散射強度表現出角度依賴性。因此，測量不同散射角 (θ) 下的散射強度可以提高分子量測量的精度，并提供分子慣性半徑的信息，而慣性半徑是分子擴散程度的指標。

在固定角度測量時，輸入估計的慣性半徑可以進行等效于角度依賴性測量的校正，從而提高分子量測量的精度。

第二維里系數是什么？

這表示溶劑中分子間排斥力和吸引力的程度，可作為溶劑對分子的親和力及其結晶潛力的指標。

如果A2為正，則它是具有高親和力的良好溶劑，強烈的分子間排斥力使得分子更容易穩定存在。

當A2為負值時，它是一種親和力低的不良溶劑，由于分子間吸引力強，容易發生聚集。

當A2 = 0時，該溶劑被稱為θ溶劑，該溫度被稱為θ溫度。當排斥力和吸引力達到平衡時，結晶更容易發生。